Дифракция отражённых электронов: различия между версиями

[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
м замена шаблона
Строка 1:
{{Нанотехнологии}}
 
[[Файл:Ebsd.jpg|thumb|right|200px|Картина, полученная методом дифракции отражённых электронов (National Institute of Standards and Technology Materials Reliability Division)]]
[[Файл:EBSD Si.png|thumb|right|200px|Изображение одного кристалла кремния, полученное методом дифракции отражённых электронов]]
 
'''[[Дифракция]] отражённых электронов (ДОЭ)''' — микроструктурная [[Кристаллография|кристаллографическая]] методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций [[Монокристалл|моно-]] или [[поликристалл]]ического материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи [[Кристаллическая система|кристаллических систем]], также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения [[Термодинамическая фаза|фаз]], изучение [[Межзёренная граница|межзёренных границ]] и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью [[Рентгеноструктурный анализ|рентгеноструктурного анализа]],
{{не переведено 3|Нейтронная дифракция|нейтронной дифракции|en|Neutron diffraction}} и [[Дифракция электронов|дифракции электронов]] в [[Просвечивающий электронный микроскоп|ПЭМ]].
 
Основана на [[Дифракция Брэгга|дифракции Брэгга]] отражённых [[электрон]]ов. Проводится в [[РЭМ|растровом электронном микроскопе]] с ДОЭ-приставкой. Последняя состоит из люминесцентного экрана, вводящегося в камеру с образцом РЭМ, [[ПЗС-матрица|CCD-камеры]]… Вертикальный пучок электронов падает на наклонённый образец (70° — наиболее оптимальный угол наклона к горизонтали). Уменьшение угла наклона понижает интенсивность получаемой дифракционной картины.
Строка 45 ⟶ 43 :
 
== Трехмерное картирование с использованием сфокусированного ионного пучка ==
Существует несколько методик получения трехмерных карт с использованием [[Сфокусированный ионный пучок|СИП]]. Общим для них является последовательное снятие слоев вещества с помощью сфокусированного ионного пучка и последующего картирования полученной области образца. Современные программные пакеты позволяют проводить такие исследования в практически автоматическом режиме. Полученные данные позволяют говорить о характере взаимрасположения, форме и т. д. частей исследуемого вещества(исследование форм, взаиморасположение, ориентацию зерен, исследование межзеренных границ). Минусом является огромнейший объём (до нескольких Гб. на образец) данных, малый физический объём исследуемого образца (линейные размеры порядка нескольких микрон), а также деструкционная природа эксперимента. Однако такого рода информация не может быть получена другими методами анализа. Отдельным вопросом стоит собственно реконструкция трехмерного объема материала.
 
В реализации Oxford Instruments присутствует возможность коррекции дрейфа во время набора карты (приложение Fast Aquisition).
Строка 68 ⟶ 66 :
* [http://www.ebsd.info/]{{ref-en}}
 
{{Нанотехнология}}
{{phys-chem-stub}}