Отрицательное дифференциальное сопротивление: различия между версиями

м (робот добавил: zh:負阻特性)
* Полупроводники типа ''[[Арсенид галлия|GaAs]]'' или ''[[Фосфид индия|InP]]'' в сильных электрических полях позволяют реализовать характеристику [[N-тип]]а в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от напряжённости электрического поля ([[эффект Ганна]]). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца ''L'' и скоростью ''v'' дрейфа электронов в поле (ω'' ~ v/L'') и может достигать ~ 100 ГГц.
 
* В транзисторных и ламповых [[Генератор колебаний электрический|генераторах электромагнитных колебаний]] транзистор (лампа) вместе с цепью положительной [[Положительная обратная связь|положительной обратной связи]] (и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора, стационарные колебания соответствуют состоянию, когда активные потери полностью компенсируются за счёт отрицательного внутреннего сопротивления.
 
== См. также ==
14

правок