КМОП-матрица: различия между версиями

В начале [[1990-е|1990-х]] характеристики КМОП-матриц, а также технология производства были значительно улучшены. Прогресс в субмикронной [[Фотолитография|фотолитографии]] позволил применять в КМОП-сенсорах более тонкие соединения. Это привело к увеличению светочувствительности за счёт большего процента облучаемой площади матрицы.
 
Переворот в технологии КМОП-сенсоров произошёл, когда в [[Лаборатория реактивного движения|лаборатории реактивного движения (Jet Propulsion Laboratory&nbsp;— JPL]]) [[NASA]] успешно реализовали Active Pixel Sensors (APS)'' ''— активно-пиксельные датчики''<ref>[http://www.keldysh.ru/papers/2003/prep85/prep2003_85.html Принцип работы и устройство активно-пиксельных датчиков (Principles of Operation and Design of the Active-Pixel Sensors Preprint, Inst. Appl. Math., the Russian Academy of Science).] Овчинников А.М., Ильин А.А., Овчинников М.Ю. </ref>. ''Теоретические исследования были выполнены ещё несколько десятков лет тому назад, но практическое использование активного сенсора отодвинулось до [[1993 год]]агода. APS добавляет к каждому пикселю транзисторный усилитель для считывания, что даёт возможность преобразовывать заряд в напряжение прямо в пикселе. Это обеспечило также произвольный доступ к фотодетекторам наподобие реализованного в микросхемах [[ОЗУ]].
 
В результате к [[2008 год]]у КМОП стали практически альтернативой ПЗС.
Анонимный участник