МОП-транзистор: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки |
|||
Строка 34:
|- align=center
|width=100| ||width=150| '''Индуцированный<br />канал''' ||width=150| '''Встроенный<br /> канал'''
|- align=center▼
| '''P-канал'''|| [[Файл:МОП-транзистор с индуцированнным p-каналом.png|80px]] || [[Файл:МОП-транзистор с встроенным p-каналом.png|80px]] ▼
|- align=center
| '''P-канал'''
| '''N-канал'''|| [[Файл:МОП-транзистор с индуцированнным n-каналом.png|80px]] || [[Файл:МОП-транзистор с встроенным n-каналом.png|80px]] ▼
▲|
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с встроенным p-каналом.png|80px]]
▲|- align=center
| '''N-канал'''
▲|
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с встроенным n-каналом.png|80px]]
|-
|colspan=3|Условные обозначения: З - затвор, И - исток, С - сток
Строка 69 ⟶ 73 :
# Управление мощным MOSFET-транзистором, работающем в ключевом режиме на высоких частотах осуществляют с помощью [[Драйвер (электроника)|драйвера]] — специальной схемы или готовой микросхемы, усиливающей управляющий сигнал и обеспечивающей большой импульсный ток для быстрой зарядки затвора транзистора. Это увеличивает скорость работы транзистора.
# В сильно зашумлённых или находящихся под большим током цепях к выходу микросхем, основанных на MOSFET-структурах, подключают два обратно включённых диода Шоттки, т. н. диодную вилку (один диод — с общего провода на вход, другой — со входа на шину питания) для предотвращения явления «защёлкивания» МОП-структуры.
== Примечания ==
{{reflist}}
== Ссылки ==
* [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/transistor/igbt_semi/index.htm Принципы работы мощных MOSFET- и IGBT-транзисторов]
| |||