Травление (фотолитография): различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
викификация, ссылка, шаблон |
Нет описания правки |
||
Строка 3:
Жидкостное травление фоторезиста обладает высокой селективностью, но является изотропным и происходит не только в направлении, перпендикулярном поверхности подложки, но и горизонтально, под слой резиста. Вследствие этого детали вытравленного рисунка по размеру оказываются больше, чем соответствующие детали [[маска (литография)|маски]].
[[File:RIE setup.png|thumb| 400 px|Схема установки для реактивного ионного травления]]
Наиболее часто используется [[реактивное ионное травление]], при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирается соответствующий реактивный газ. Так, например, органические резисты травят в кислородсодержащей плазме (CF<sub>4</sub> + O<sub>2</sub>), алюминий — в хлорсодержащей плазме (CCl<sub>4</sub>, BCl<sub>3</sub>, BCl<sub>3</sub> +Cl<sub>2</sub>, BCl<sub>3</sub> + CCl<sub>4</sub> +O<sub>2</sub>), кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl<sub>4</sub> + Cl<sub>2</sub> + Ar, ClF<sub>3</sub> + Cl<sub>2</sub>, CHF<sub>3</sub>, CF<sub>4</sub> + H<sub>2</sub>, C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>). Недостаток сухого травления — меньшая, по сравнению с жидкостным травлением, селективность.
Вариантом сухого анизотропного травления является ионно-лучевое травление. В отличие от реактивного ионного травления, сочетающего физический и химический механизмы, [[ионно-лучевое травление]] определяется только физическим процессом передачи импульса. Ионно-лучевое травление является универсальным, пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.
| |||