Подложка: различия между версиями
[непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Jaro.p (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
м робот изменил: fr:Tranche de semi-conducteur |
||
Строка 5:
При выращивании [[Кристалл|кристаллов]] большое значение имеют условия сопряжения [[Кристаллическая решётка|кристаллических решёток]] нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте отсутствию [[Дефекты кристалла|дефектов]] в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение [[Буферный слой|буферного слоя]] для предотвращения возникновения множественных [[Дислокация_(кристаллохимия)|дислокаций]].
[[Категория:Полупроводники]]
[[de:Wafer]]
[[en:Wafer (electronics)]]
[[fr:
[[ko:웨이퍼]]▼
[[id:Wafer]]
[[it:Wafer (elettronica)]]
[[nl:Wafer]]▼
[[ja:ウェハー]]
▲[[ko:웨이퍼]]
▲[[nl:Wafer]]
[[pt:Wafer (eletrônica)]]
[[sk:Wafer]]
|