Подложка: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
м робот изменил: fr:Tranche de semi-conducteur
Строка 5:
При выращивании [[Кристалл|кристаллов]] большое значение имеют условия сопряжения [[Кристаллическая решётка|кристаллических решёток]] нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте отсутствию [[Дефекты кристалла|дефектов]] в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение [[Буферный слой|буферного слоя]] для предотвращения возникновения множественных [[Дислокация_(кристаллохимия)|дислокаций]].
[[Категория:Полупроводники]]
 
[[de:Wafer]]
[[en:Wafer (electronics)]]
[[fr:WaferTranche de semi-conducteur]]
[[ko:웨이퍼]]
[[id:Wafer]]
[[it:Wafer (elettronica)]]
[[nl:Wafer]]
[[ja:ウェハー]]
[[ko:웨이퍼]]
[[nl:Wafer]]
[[pt:Wafer (eletrônica)]]
[[sk:Wafer]]