Подложка: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м робот изменил: fr:Tranche de semi-conducteur |
м орфография |
||
Строка 1:
[[Изображение:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll.jpg|thumb|Подложка 2 дюйма, 8
[[Изображение:Multicrystallinewafer 0001.jpg|thumb|Поликристаиновая подложка]]
'''Подложка''' — [[Поверхность|поверхность]] [[Кристалл|кристалла]], предназначенная для создания [[Плёнка|плёнок]], [[Гетероструктура|гетероструктур]] и выращивания [[Микрокристалл|микрокристаллов]]. Применяется при [[Эпитаксия|эпитаксии]] ([[Гетероэпитаксия|гетероэпитаксии]], [[Гомоэпитаксия|гомоэпитаксии]], [[Эндотаксия|эндотаксии]]), [[Кристаллизация|кристаллизации]] и т. д.
| |||