Жидкофазная эпитаксия: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
некорректная информация |
Alexxsun (обсуждение | вклад) м откат правок 95.140.92.69 (обс) к версии Addbot |
||
Строка 1:
[[Эпитаксия]] из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния ([[Метод Чохральского]]).
Готовится шихта из вещества наращиваемого слоя, легирующей примеси (может быть подана и в виде газа) и металла-растворителя, имеющего низкую температуру плавления и хорошо растворяющий материал подложки (Ga, Sn, Pb). Процесс проводят в атмосфере азота и водорода (для восстановления оксидных плёнок на поверхности подложек и расплава) или в вакууме(предварительно восстановив оксидные плёнки). Расплав наносится на поверхность подложки, частично растворяя её и удаляя загрязнения и дефекты. После выдержки при максимальной температуре ≈1000С начинается медленное охлаждение. Расплав из насыщенного состояния переходит в пересыщенное и избытки полупроводника осаждаются на подложку, играющую роль затравки.
Существуют три типа контейнеров для проведения эпитаксии из жидкой фазы: вращающийся (качающийся), пенального типа, шиберного типа.
Ю. В. Панфилов «Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы»
Следует отметить, что в современной полупроводниковой промышленности данный метод уже давно не используется, ввиду сложности контроля параметров получаемых пленок (толщина, однородность толщины, значение стехиометрического коэффициента), их относительно низкого качества, малой производительности метода. Вместо него используется газофазная эпитаксия, первое промышленное применение нашедшая для роста простых пленок полупроводников IV группы таблицы Менделеева (Ge, Si), а позже, с развитием технологии, вытеснившая жидкофазную эпитаксию из роста пленок полупроводников типа A<sub>III</sub>B<sub>V</sub> и A<sub>II</sub>B<sub>VI</sub>. Также заменой является молекулярнолучевая эпитаксия, позволяющая осаждение практически любых материалов. Однако, для некоторых экзотических полупроводниковых соединений на данный момент является единственно возможной, и остается вопросом лабораторных исследований.
Метод жидкофазной эпитаксии вытесняет конкурирующие технологии в изготовлении высокотемпературных фотоэлементов, к примеру он оказался единственно возможным для фотоэлементов АМС MESSENGER.
== См. также ==
* [[Молекулярно-пучковая эпитаксия]]
* [[Газофазная эпитаксия]]
* [[Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы]]
[[Категория:Эпитаксия]]
| |||