МОП-структура: различия между версиями

74 байта добавлено ,  6 лет назад
Нет описания правки
'''МОП-структура''' (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем [[Оксид кремния(IV)|диоксида кремния]] (SiO<sub>2</sub>). В общем случае структуру называют [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП]] (металл — диэлектрик — полупроводник).
 
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами ({{lang-en|metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET}}).
 
Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных]], управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.