Биполярный транзистор: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Строка 1:
[[Файл:Transist.png|frame|250px|thumb|Обозначение биполярных транзисторов на схемах]]
[[Файл:Npnpnp.png|250px|thumb|Простейшая наглядная схема устройства транзистора]]
'''Биполярный [[транзистор]]''' — трёхэлектродный [[Полупроводниковые приборы|полупроводниковый прибор]], один из типов [[транзистор]]а. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом [[примесная проводимость полупроводников|примесной проводимости]]. По этому способу чередования различают ''n-p-n'' и ''p-n-p'' транзисторы (''n'' (''negative'') — электронный тип примесной проводимости, ''p'' (''positive'') — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от [[Полевой транзистор|полевого транзистора]], используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют ''базой'', электроды, подключённые к внешним слоям, называют ''коллектором'' и ''эмиттером''. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь [[P-n-переход]]а. Кроме того, для работы транзистора необходима малая толщина базы.
| |||