Википедия

LPDDR: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
→‎LPDDR4: translate from en:~ cc-by-sa http://en.wikipedia.org/wiki/LPDDR4
викификация, пунктуация
Строка 1:
[[FileФайл:Lpddr.png|thumb|LPDDR от [[Nexus Technology|Nexus]]]]
'''LPDDR''' - — тип [[Оперативная память|оперативной памяти]] для [[смартфон]]ов и планшетов. Известен также под названиями '''mDDR''', '''Low Power DDR'''.
 
Поддерживаются устройства со стандартом JEDEC 209 <ref>[http://processors.wiki.ti.com/index.php/LPDDR LPDDR-Texas Instruments wiki]</ref>
 
== LPDDR ==
Оригинальная LPDDR ('''LPDDR1''') - — модификация памяти [[DDR SDRAM]] c некоторыми изменениями для снижения энергопотребления.
 
Важнейшее изменение - — снижение напряжения питания с 2,5 до 1,8[[вольт|V]]. Дополнительная экономия осуществляется за счет увеличения времени обновления при низкой температуре (DRAM реже обновляется при низких температурах), частичный блок самообновления и режим "«Глубокий сон"» (deep power down), который стирает из памяти абсолютно все. Плюс ко всему, чипы очень маленького размера и, соответственно, занимают меньше места на плате, чем их [[компьютер]]ные аналоги. [[Samsung]] и [[Micron]] являются ведущими производителями и поставщиками этого типа памяти и используется на таких [[планшетный компьютер|планшетпланшетах]]ах, как [[Apple iPad]], [[Samsung Galaxy Tab]] и в телефоне [[Motorola Droid X]].
 
== LPDDR2 ==
Новый стандарт JEDEC JESD209-2E переработан для низкопотребляемых интерфейсов DDR. Он не совместим с DDR и DDR2 SDRAM, но может размещаться в следующих интерфейсах:
* LPDDR2-S2: 2n память с предвыборкой (DDR1);
Строка 17:
Памяти с низким энергопотреблением похожи на стандартную LPDDR, но с некоторыми изменениями в блоке перезарядки.
 
[[Тайминги]] задаются для LPDDR-200 LPDDR-1066 (тактовая частота от 100 до 533 МГц).
 
Работа в 1,2 В, LPDDR2 мультиплексирует контроль по адресной линии 10-битной двухтактовой шины передачи данных CA. Команды аналогичны компьютерным модулям SDRAM, за исключением перераспределения предварительной зарядки и коды операции предотвращения возгораний.
 
== LPDDR3 ==
В мае 2012,<ref>[http://www.electroiq.com/articles/sst/2012/05/jedec-publishes-lpddr3-standard-for-low-power-memory-chips.html JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips], Solid State Technology magazine</ref> [[JEDEC]] опубликовал стандарт JESD209-3 "«Low Power Memory Device Standard"»<ref name="lpddr3">[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD209-3.pdf JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard], JEDEC Solid State Technology Association</ref>. По сравнению с LPDDR2, в LPDDR3 предлагается более высокая скорость обмена данными, увеличенная энергоэффективность и большая плотность памяти. Память LPDDR3 может работать на скоростях до 1600&nbsp; MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии как: write-leveling, command/address training,<ref>[http://denalimemoryreport.com/2012/06/13/want-a-quick-and-dirty-overview-of-the-new-jedec-lpddr3-spec-eetimes-serves-it-up/ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up], Denali Memory Report</ref> опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую емкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.▼
 
Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate).<ref name="lpddr3"/> Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8''n''-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.▼
▲В мае 2012,<ref>[http://www.electroiq.com/articles/sst/2012/05/jedec-publishes-lpddr3-standard-for-low-power-memory-chips.html JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips], Solid State Technology magazine</ref> [[JEDEC]] опубликовал стандарт JESD209-3 "Low Power Memory Device Standard"<ref name="lpddr3">[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD209-3.pdf JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard], JEDEC Solid State Technology Association</ref>. По сравнению с LPDDR2, в LPDDR3 предлагается более высокая скорость обмена данными, увеличенная энергоэффективность и большая плотность памяти. Память LPDDR3 может работать на скоростях до 1600&nbsp;MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии как: write-leveling, command/address training,<ref>[http://denalimemoryreport.com/2012/06/13/want-a-quick-and-dirty-overview-of-the-new-jedec-lpddr3-spec-eetimes-serves-it-up/ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up], Denali Memory Report</ref> опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую емкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.
 
Samsung предполагал что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800&nbsp; МГц (1600&nbsp; MT/s), предоставляя пропускную способность сравнимую (без учета многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 [[SODIMM]] 2011 года (12.8 ГБ/с).<ref>[http://www.brightsideofnews.com/news/2012/6/27/samsung-lpddr3-high-performance-memory-enables-amazing-mobile-devices-in-20132c-2014.aspx Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014] - — Bright Side of News</ref>. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года.▼
▲Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate).<ref name="lpddr3"/> Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8''n''-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.
 
Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне [[Samsung Galaxy S4]]<ref>[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/62/81 Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально - — iXBT]</ref>.▼
▲Samsung предполагал что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800&nbsp;МГц (1600&nbsp;MT/s), предоставляя пропускную способность сравнимую (без учета многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 [[SODIMM]] 2011 года (12.8 ГБ/с).<ref>[http://www.brightsideofnews.com/news/2012/6/27/samsung-lpddr3-high-performance-memory-enables-amazing-mobile-devices-in-20132c-2014.aspx Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014] - Bright Side of News</ref>. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года.
 
▲Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне [[Samsung Galaxy S4]]<ref>[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/62/81 Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально - iXBT]</ref>.
 
== LPDDR4 ==
Модули памяти LPDDR4 отличаются удвоенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3, которая возросла до {{нет АИ 2|34 ГБ/с|18|09|2014}}. Энергопотребление, напротив, снизилось на 40 % и составляет 1,1 Вт, что означает увеличенное время автономной работы устройств от аккумулятора.{{нет АИ|18|09|2014}}
 
Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC.<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-focus-mobile-technology-upcoming-conference JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology]</ref> В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20&nbsp; нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 ГБ) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200 Мбит/с, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1.1 вольта.<ref>[http://global.samsungtomorrow.com/?p=31752 Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM]</ref>
 
25 августа 2014 года [[JEDEC]] выпустила стандарт [http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd209-4 JESD209-4] "«LPDDR4 Low Power Memory Device"».<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-releases-lpddr4-standard-low-power-memory-devices JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices], JEDEC Solid State Technology Association</ref>
 
== Примечания ==
{{Примечания}}
 
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/LPDDR