МОП-структура: различия между версиями

11 байт добавлено ,  6 лет назад
орфография, оформление заголовков, заменил наблон rq на refless
(общем случае---Не в "общем случае", а кто как, потому как это одно и тоже. И вообще эти статьи (МОП и МДП) лучше объединить.)
(орфография, оформление заголовков, заменил наблон rq на refless)
'''МОП-структура'''  — структура используемая в производстве [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Иначе эти приборы называют [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП-транзисторами]] (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник») ''или'' МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», {{lang-en|metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET}}), так как у таких транзисторов затвор отделён от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика, которым обычно служит слой [[Оксид кремния(IV)|диоксида кремния]] (SiO<sub>2</sub>), поэтому такие приборы часто называю транзисторами с изолированным затвором<ref name="Жеребцов, 120-121">''И.  П.  Жеребцов''. Основы электронники. Изд. 5-е,  — Л., 1989.  — С. 120—121.</ref>.
 
В отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных тразисторов]], управляемых как током так и напряжением, транзисторы на основе МОП-структуры, управляются ''только напряжением'', так как такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
 
== Базовая классификация ==
 
=== Тип канала ===
Встречаются МДП-транзисторы с ''собственным'' (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и ''индуцированным'' (или инверстныминверсным) каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}).
 
В то время как в цифровой технике находят применение транзисторы с индуцированным каналом, где канал возникает только при подаче на затвор напряжениенапряжения определённой полярности, ав аналоговой технике находят применениеиспользуются транзисторы с собственным каналом, которые могут работать как в '''''режиме обеднения''''', так и в '''''режиме обогащения'''''<ref name="Жеребцов, 120-121" />.
Встречаются МДП-транзисторы с собственным (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и индуцированным (или инверстным) каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}).
 
В то время как в цифровой технике находят применение транзисторы с индуцированным каналом, где канал возникает только при подаче на затвор напряжение определённой полярности, а аналоговой технике находят применение транзисторы с собственным каналом, которые могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения<ref name="Жеребцов, 120-121" />.
 
=== Тип проводимости ===
 
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо «дырка».
 
 
=== Особые случаи ===
 
Существуют транзисторы с несколькими затворами.
 
 
== Условные графические обозначения ==
 
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов регламентируются ГОСТ 2.730-73<ref name=gost2730>[https://www.google.ru/#newwindow=1&q=%D0%B3%D0%BE%D1%81%D1%82+2.730-73 ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые]</ref>.
 
 
== Особенности работы МОП транзисторов ==
 
[[Файл:MOSFET1.svg|right|thumb|300px]]
[[Файл:ВАХМОП.JPG|right|thumb|300px|[[Вольт-амперная характеристика]] изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.]]
 
== Особенности подключения ==
 
При подключении мощных MOSFET-транзисторов (особенно работающих на высоких частотах на пределе своих возможностей) используется стандартная обвязка транзистора:
 
 
== Примечания ==
 
{{примечания}}
 
== Ссылки ==
 
* [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/transistor/igbt_semi/index.htm Принципы работы мощных MOSFET- и IGBT-транзисторов].
* ''Терещук Д. С''. [http://masters.donntu.edu.ua/2001/fvti/tereschuk/diss/g2.htm Логическое моделирование СБИС на переключательном уровне].
* ''Егоров А''. [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/transistor/mosfet_nxp.htm Применение MOSFET-транзисторов NXP Semiconductors в электронике].
 
{{rq|sourcesrefless}}
 
[[Категория:Физика полупроводников]]