МОП-транзистор: различия между версиями
[непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
общем случае---Не в "общем случае", а кто как, потому как это одно и тоже. И вообще эти статьи (МОП и МДП) лучше объединить. |
РоманСузи (обсуждение | вклад) орфография, оформление заголовков, заменил наблон rq на refless |
||
Строка 1:
'''МОП-структура'''
В отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных тразисторов]], управляемых как током так и напряжением, транзисторы на основе МОП-структуры, управляются ''только напряжением'', так как такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
== Базовая классификация ==
=== Тип канала ===
Встречаются МДП-транзисторы с ''собственным'' (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и ''индуцированным'' (или
В то время как в цифровой технике находят применение транзисторы с индуцированным каналом, где канал возникает только при подаче на затвор
▲Встречаются МДП-транзисторы с собственным (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и индуцированным (или инверстным) каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}).
▲В то время как в цифровой технике находят применение транзисторы с индуцированным каналом, где канал возникает только при подаче на затвор напряжение определённой полярности, а аналоговой технике находят применение транзисторы с собственным каналом, которые могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения<ref name="Жеребцов, 120-121" />.
=== Тип проводимости ===
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо «дырка».
Строка 26 ⟶ 24 :
=== Особые случаи ===
Существуют транзисторы с несколькими затворами.
Строка 32 ⟶ 29 :
== Условные графические обозначения ==
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов регламентируются ГОСТ 2.730-73<ref name=gost2730>[https://www.google.ru/#newwindow=1&q=%D0%B3%D0%BE%D1%81%D1%82+2.730-73 ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые]</ref>.
Строка 51 ⟶ 47 :
== Особенности работы МОП транзисторов ==
[[Файл:MOSFET1.svg|right|thumb|300px]]
[[Файл:ВАХМОП.JPG|right|thumb|300px|[[Вольт-амперная характеристика]] изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.]]
Строка 67 ⟶ 62 :
== Особенности подключения ==
При подключении мощных MOSFET-транзисторов (особенно работающих на высоких частотах на пределе своих возможностей) используется стандартная обвязка транзистора:
Строка 81 ⟶ 75 :
== Примечания ==
{{примечания}}
== Ссылки ==
* [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/transistor/igbt_semi/index.htm Принципы работы мощных MOSFET- и IGBT-транзисторов].
* ''Терещук Д. С''. [http://masters.donntu.edu.ua/2001/fvti/tereschuk/diss/g2.htm Логическое моделирование СБИС на переключательном уровне].
* ''Егоров А''. [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/transistor/mosfet_nxp.htm Применение MOSFET-транзисторов NXP Semiconductors в электронике].
{{rq|
[[Категория:Физика полупроводников]]
|