МОП-структура: различия между версиями

807 байт добавлено ,  6 лет назад
паразитный диод ---). Если он "паразитный", зачем он тогда нужен?)
(орфография, оформление заголовков, заменил наблон rq на refless)
(паразитный диод ---). Если он "паразитный", зачем он тогда нужен?))
'''МОП-структура''' — структура используемаяприменяемая впри производстве [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]., Иначев эти приборы называют [[Полевой транзистор#Транзисторысвязи с изолированнымчем затворомтакие (МДП-транзисторы)|МДП-транзисторами]]приборы (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник») ''или''называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», {{lang-en|metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET»}}) ''или'' [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП-транзисторами]] (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник»), так как у таких транзисторов затвор отделён от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика, которым обычно служит слой [[Оксид кремния(IV)|диоксида кремния]] (SiO<sub>2</sub>), поэтому такие приборы частоещё называют называюи транзисторами с изолированным затвором<ref name="Жеребцов, 120-121">''И. П. Жеребцов''. Основы электронники. Изд. 5-е, — Л., 1989. — С. 120—121.</ref>.
 
В отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных тразисторов]], управляемыхкоторые управляются как током так и напряжением, транзисторы нас основеизолированным МОП-структуры,затвором управляются ''только напряжением'', так как, по причине изолированного управляемого электрода (затвор) такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
 
== Базовая классификация ==
 
=== Тип канала ===
Встречаются МДПМОП-транзисторы с ''собственным'' (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и ''индуцированным'' (или инверсным) каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}).
 
В то время как в цифровой и силовой технике находят применение транзисторы с индуцированным каналом, где канал возникает только при подаче на затвор отпирающего напряжения определённой полярности, в аналоговой технике используются транзисторы с собственным каналом, которые могут работать как в '''''режиме обеднения''''', так и в '''''режиме обогащения'''''<ref name="Жеребцов, 120-121" />. Однако некоторые МОП-транзисторы, которые обладают низким пороговым напряжением, например такие как 2SJ162 и 2SK1058, могут применяться и в аналоговой технике, например в выходных каскадах [[Усилитель низкой частоты|усилителей мощности]].
 
=== Тип проводимости ===
Носителями заряда в полевых транзисторах с каналом n-типа выступают электроны, а в приборах p-типа – дырки<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо «дырка».
 
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее напряжение отпирания этого транзистора. Соответственно, для p-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду и превышающее напряжение отпирания.
Если транзистор n-канальный:
* он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.
* паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.
* канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.
 
[[Демпфирующий диод|Демпфирующие диоды]] (если таковые предусмотрены разработчиком транзистора), подключаются параллельно каналу, то есть к стоку и истоку. Для n-канальных полевых транзисторов анодом к истоку, а для p-канальных анодом к стоку.
Если транзистор p-канальный:
* он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.
* паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.
* канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.
 
=== Особые случаи ===
 
== Условные графические обозначения ==
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов регламентируются ГОСТ 2.730-73<ref name=gost2730>[https://www.google.ru/#newwindow=1&q=%D0%B3%D0%BE%D1%81%D1%82+2.730-73 ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые].</ref>.
 
{| class="wikitable"
Анонимный участник