МОП-структура: различия между версиями

184 байта убрано ,  6 лет назад
Нет описания правки
'''МОП-структура''' — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных [[полевой транзистор|полевых транзисторов]],. вПолупроводниковые связиприборы сна чемоснове такиеэтой приборыструктуры называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», {{lang-en|metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET»}}) ''или'', [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП-транзисторами]] (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник»), или транзисторами с изолированным затвором (так как у таких транзисторов затвор отделён от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика, которым обычно служит слой [[Оксид кремния(IV)|диоксида кремния]] (SiO<sub>2</sub>), поэтому такие приборы ещё называют и транзисторами с изолированным затвором.<ref name="Жеребцов, 120-121">''И. П. Жеребцов''. Основы электронники. Изд. 5-е, — Л., 1989. — С. 120—121.</ref>.
 
В отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных тразисторов]], которые управляются как током так и напряжением, транзисторы с изолированным затвором управляются ''только напряжением'', так как, по причине изолированного управляемогоуправляющего электрода (затвор''затвора'') такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
 
== Базовая классификация ==