МОП-структура: различия между версиями

1447 байт добавлено ,  6 лет назад
 
=== Тип проводимости ===
Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определенного потенциала можно менять тип проводимости участка канала под затвором. Если вытеснять из канала его основные носители заряда, обогащая канал неосновными носителями, то это т. н. режим обогащения. При этом проводимость канала растет. Подачей противоположного по знаку потенциала на затвор можно обеднить канал неосновными носителями и уменьшить его проводимость (этот режим называется обеднением и характерен только для транзисторов со встроенным каналом).<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
Носителями заряда в полевых транзисторах с каналом n-типа выступают электроны, а в приборах p-типа – дырки<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
 
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее пороговое напряжение этого транзистора. Соответственно, для p-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду и превышающее его пороговое.
 
Подавляющее большинство приборов по МОП технологии выполняется так что исток транзистора подключен к полупроводниковой «подложке» структуры (чаще всего это означает — к телу кристалла). При этом образуется так называемый паразитный диод между истоком и стоком. Избавление от этого диода сопряжено со значительными технологическими трудностями, поэтому с ним научились мириться и даже использовать в схемотехнических решениях. Для n-канальных полевых транзисторов паразитный диод подключен анодом к истоку, а для p-канальных анодом к стоку.
[[Демпфирующий диод|Демпфирующие диоды]] (если таковые предусмотрены разработчиком транзистора), подключаются параллельно каналу, то есть к стоку и истоку. Для n-канальных полевых транзисторов анодом к истоку, а для p-канальных анодом к стоку.
 
=== Особые случаи ===