МОП-структура: различия между версиями

15 байт добавлено ,  6 лет назад
Нет описания правки
'''МОП-структура''' — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», {{lang-en|metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET»}}), [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП-транзисторами]] (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник») или транзисторами с изолированным затвором (так как у таких транзисторов затвор отделён от канала тонким слоем диэлектрика).<ref name="Жеребцов, 120-121">''И. П. Жеребцов''. Основы электронники. Изд. 5-е, — Л., 1989. — С. 120—121.</ref>
 
В отличие от [[Биполярный транзистор|биполярных тразисторов]], которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как, по причине изолированного управляющего электрода (''затвора'') такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
 
== Базовая классификация ==