МОП-структура: различия между версиями

2 байта убрано ,  6 лет назад
м (орфография)
 
=== Тип проводимости ===
Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определенного потенциала можно менять тип проводимости участка канала под затвором. Если вытеснять из канала его основные носители заряда, обогащая канал неосновными носителями, то это т. н. режим обогащения. При этом проводимость канала растет. Подачей противоположного по знаку потенциала на затвор можно объеднитьобеднить канал неосновными носителями и уменьшить его проводимость (этот режим называется обеднением и характерен только для транзисторов со встроенным каналом).<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
 
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее пороговое напряжение этого транзистора. Соответственно, для p-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду и превышающее его пороговое.