Википедия

LPDDR: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
викификация, пунктуация
Строка 33:
Модули памяти LPDDR4 отличаются удвоенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3, которая возросла до {{нет АИ 2|34 ГБ/с|18|09|2014}}. Энергопотребление, напротив, снизилось на 40 % и составляет 1,1 Вт, что означает увеличенное время автономной работы устройств от аккумулятора.{{нет АИ|18|09|2014}}
 
Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC.<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-focus-mobile-technology-upcoming-conference JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology]</ref> В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 ГБГб) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200 Мбит/с, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1.1 вольта.<ref>[http://global.samsungtomorrow.com/?p=31752 Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM]</ref>
 
25 августа 2014 года [[JEDEC]] выпустила стандарт [http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd209-4 JESD209-4] «LPDDR4 Low Power Memory Device».<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-releases-lpddr4-standard-low-power-memory-devices JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices], JEDEC Solid State Technology Association</ref>
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/LPDDR