EPROM: различия между версиями

3 байта добавлено ,  6 лет назад
м
м (→‎Принцип действия: замена илл.)
 
== Принцип действия ==
[[Файл:Floating gate transistor-ru.pngsvg|thumb|left|Разрез транзистора с плавающим затвором.]]
Каждый бит памяти EPROM состоит из одного [[Полевой транзистор|полевого транзистора]]. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод (кремний или алюминий), и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде. [[Транзистор с плавающим затвором|Плавающий затвор]] не имеет связи с другими частями интегральной схемы и полностью изолирован от окружающих слоёв оксида. На затвор наносится управляющий электрод, который затем покрывается оксидом.<ref> Chih-Tang Sah ,'' Fundamentals of solid-state electronics '' World Scientific, 1991 ISBN 9810206372, page 639 </ref><ref>[http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF Технология EPROM]</ref>