Википедия

LPDDR: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
м откат правок 79.136.189.176 (обс) к версии 37.145.162.212
Строка 26:
Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate).<ref name="lpddr3"/> Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8''n''-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.
 
Samsung предполагал что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с _____________частотамичастотами 800 МГц (1600 MT/s), предоставляя пропускную способность "сравнимую" (без учета многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 [[SODIMM]] <s>2011 года (12.8 ГБ/с).<ref>[http://www.brightsideofnews.com/news/2012/6/27/samsung-lpddr3-high-performance-memory-enables-amazing-mobile-devices-in-20132c-2014.aspx Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014] — Bright Side of News</ref>. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 к</s>омпаниейкомпанией Samsung Electronics был <u>объявлен 24 июля 2013 года.</u>
 
Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне [[Samsung Galaxy S4]]<ref>[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/62/81 Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально — iXBT]</ref>.
 
== LPDDR4 ==
Модули памяти LPDDR4 отличаются удвоенной 1.6Гб/с скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3, которая возросла до {{нет АИ 2|3.434 ГБ/с|18|09|2014}}. Энергопотребление, напротив, снизилось на 40 % и составляет 1,1 Вт, что означает увеличенное время автономной работы устройств от аккумулятора.{{нет АИ|18|09|2014}}
 
Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC.<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-focus-mobile-technology-upcoming-conference JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology]</ref> В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 Гб) в стандарте LPDDR4 с 3.4ПСП Гбит3200 Мбит/с, что на 10050 % выше LPDDR3 , а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1.1 вольта.<ref>[http://global.samsungtomorrow.com/?p=31752 Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM]</ref>
 
25 августа 2014 года [[JEDEC]] выпустила стандарт [http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd209-4 JESD209-4] «LPDDR4 Low Power Memory Device».<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-releases-lpddr4-standard-low-power-memory-devices JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices], JEDEC Solid State Technology Association</ref>
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/LPDDR