DIMM: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
м откат правок 178.89.222.73 (обс) к версии 128.68.190.2
Строка 3:
 
'''DIMM''' ({{lang-en|'''D'''ual '''I'''n-line '''M'''emory '''M'''odule, двухсторонний модуль памяти}}) — [[Форм-фактор (техника)|форм-фактор]] модулей памяти [[DRAM]]. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору [[SIMM]].
Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются х-у-ё-в-ы-м-инезависимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию [[Обнаружение и исправление ошибок|обнаружения и исправления ошибок]] в 64 (без контроля чётности) или 72 (с [[Бит чётности|контролем по чётности]] или коду [[ECC]]) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.
 
Конструктивно представляет собой [[модуль памяти]] в виде длинной прямоугольной [[печатная плата|платы]] с рядами контактных площадок с обеих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.