Акцептор (физика): различия между версиями

[[Файл:P-doped Si.svg|thumb|Схематическое изображение кремния с акцепторной примесью бора]]

 

Акцепторы бывают [[однозарядные акцепторы|однозарядными]] и [[многозарядные акцепторы|многозарядными]]. Например, в кристаллах элементов IV группы [[периодическая система элементов|периодической системы элементов]] ([[кремний|кремния]], [[германий|германия]]) элементы III группы ([[бор (элемент)|бор]], [[алюминий]], [[индий]], [[галлий]]) являются однозарядными акцепторами. Поскольку элементы третьей группы имеют [[валентность]] 3, то три электрона его внешней электронной оболочки образуют [[химическая связь|химическую связь]] с тремя соседними атомами, например, кремния в кубической решётке, а электрона для образования четвёртой связи недостает. Однако при ненулевой температуре с определённой вероятностью четвёртая связь образуется за счет захвата недостающего 4-го электрона у атома кремния. При этом лишенный 4-го электрона атом кремния приобретает положительный заряд (вакансия). Энергия захваченного акцептором электрона на несколько мэВ выше энергии потолка [[валентная зона|валентной зоны]]. Из-за теплового движения электронов вакансия может быть заполнена электроном, отнятым у соседнего атома кремния, при этом тот приобретёт положительный заряд — вакансия переместится на этот атом кремния. Поэтому, можно считать, что носителями заряда являются перемещаемые положительно заряженные вакансии. При приложении электрического поля вакансии начнут упорядоченно двигаться к катоду. Естественно, истинными носителями заряда по-прежнему являются электроны, но для описания процессов и развития теории полупроводников удобно принять, что в валентной зоне кристалла образуется так называемая [[дырка (квазичастица)|дырка]] с положительным зарядом, которая может свободно двигаться по кристаллу, и, таким образом, участвовать в электропроводности кристалла.

{{Викисловарь}}

 

|автор = Ансельм А. И.

|заглавие = Введение в теорию полупроводников