Полупроводник n-типа: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
оформление |
викификация |
||
Строка 1:
[[Файл:N-doped Si.svg|thumb|Схематическое изображение кремния с донорной примесью [[фосфор]]а]]
'''Полупроводники n-типа''' — [[полупроводник]], в котором основные [[носители заряда]] — [[электроны проводимости]].
Для того чтобы получить полупроводник n-типа, [[собственный полупроводник]] [[легирование|легируют]] [[донор электрона|донорами]]. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах [[электрон]]ы и со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в [[зона проводимости|зону проводимости]], где их состояния [[делокализованное состояние|делокализованы]] и они могут вносить вклад в [[электрический ток]].
| |||