Википедия

Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Нет описания правки
Нет описания правки
Строка 14:
}}
 
'''Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова''' — один из крупнейших институтов [[Новосибирск]]ого научного центра [[Сибирское отделение Российской академии наук|Сибирского отделения РАН]]. Основан в [[1964 год]]у. У истоков создания ИФП стоял выдающийся ученый академик Анатолий Васильевич Ржанов.
 
Сегодня ИФП СО РАН - многогранный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую академическую науку, направленную на фундаментальные научные открытия, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной экономики и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и элитных инженерно-технических специалистов.
== Общие сведения ==
 
В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования – ЦКП «Наноструктуры».
 
В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» - около 220 человек. Общее число научных сотрудников - 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.
 
== Научные направления ==
Основными направлениями научной деятельности института являются:
* актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
Строка 23 ⟶ 29 :
 
== История ==
Институт был основан в [[1964 год]]у на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума [[Академия наук СССР|АН СССР]] № 49 от 24 апреля 1964 года)<ref name="solid3">[http://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&sub_part=43/ История Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]</ref>. В [[2003 год]]у к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление [[Руководство РАН|Президиума РАН]] № 224 от 1 июля 2003 года). В [[2005 год]]у к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В [[2006 год]]у Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)<ref name="solid2">[http://www.nsc.ru/sbras/db/showinf.phtml?rus+3+16+history/ История Института]</ref>. Постановлением Президиума РАН №262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН №440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.
 
В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).
=== Директора института ===▼
 
▲=== Директора институтаИнститута ===
* акад. [[Ржанов, Анатолий Васильевич|А. В. Ржанов]] (1964—1990)
* член-корр. РАН [[Свиташев, Константин Константинович|К. К. Свиташев]] (1990—1998)
Строка 33 ⟶ 41 :
== Структура ==
[[File:Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в Новосибирске.jpg |thumb|Здание института в [[2013 год]]у]]
В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, два филиалафилиал): <ref>[http://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&lang=rus Структурная схема Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]</ref><ref>[http://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&sub_part=22 Научные подразделения Института]</ref>
 
* Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов
=== Научные отделы ===
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
** ЛабораторияОтдел эллипсометриироста и структуры полупроводниковых материалов, и
''руководитель структуротдела д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков''
** Лаборатория физикиэллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, 
''зав.лаб., к.т.н. С.В.Рыхлицкий''▼
* Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев▼
** Лаборатория нанодиагностикимолекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и нанолитографиисоединений А<sub>3</sub>В<sub>5</sub>, 
''зав. лаб., член-корр. РАН, дк.ф.-м.н. А. ВИ. Латышев Никифоров''
** Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, 
''зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Преображенский''
** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5▼
▲* Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, 
''руководитель отдела академик А. Л. Асеев''
* Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, [[Неизвестный, Игорь Георгиевич|И. Г. Неизвестный]]▼
** Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
, ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А.В.Латышев''
** Лаборатория физики и технологии гетероструктур▼
▲** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5А<sub>3</sub>В<sub>5</sub>
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон''
** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники▼
* Отдел инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ
, ''руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров''
* Отдел физики и техники полупроводниковых структур▼
** Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6А<sub>2</sub>В<sub>6</sub>'','' 
''зав.лаб., к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий''▼
** Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках▼
** Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6А<sub>2</sub>В<sub>6</sub>, 
''зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В. Васильев''▼
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5▼
▲* Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, 
''руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, [[Неизвестный, Игорь Георгиевич|И. Г. Неизвестный]]''
* Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ
▲** Лаборатория физики и технологии гетероструктургетероструктур
зав, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. А.Э. Климов''
▲** Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
▲** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроникимикроэлектроники
, ''руководитель группы, член-корр. РАН И.Г.Неизвестный''
▲** Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
▲* Отдел физики и техники полупроводниковых структурструктур
, ''руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В.Н. Овсюк''
* Научные лаборатории
▲** Лаборатория кинетических явлений в полупроводникахполупроводниках
, ''и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев''
** Лаборатория теоретической физики, зав. лаб., академик РАН, профессор [[Чаплик, Александр Владимирович|А. В. Чаплик]]▼
▲** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5А<sub>3</sub>В<sub>5</sub>, 
''зав.лаб., к.ф.-м.н. А.И. Торопов''
** Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов (до 2012 года заведующий — член-корр. РАН, профессор, [[Хорошевский, Виктор Гаврилович|В. Г. Хорошевский]])
 
** Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик▼
=== Лаборатории ===
** Лаборатория оптических материалов и структур▼
▲** Лаборатория теоретической физикифизики
, ''зав. лаб., академик РАН, профессор [[Чаплик, Александр Владимирович|А. В.  Чаплик]]''
** Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
** Лаборатория неравновестныхвычислительных процессовсистем, в
''зав.лаб., полупроводникахд.т.н. К.В. Павский''
▲** Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик, 
''зав.лаб., к.х.н. О.И.Семенова''
** Лаборатория физических основ материаловедения кремния▼
▲** Лаборатория оптических материалов и структурструктур
, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Атучин''
** Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники▼
** Лаборатория физики и технологии кремниевойтрехмерных наноструктур
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор микроэлектроникиВ.Я.Принц''
* Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А.С.Терехов''
** Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
▲** Лаборатория физических основ материаловедения кремниякремния
, ''зав.лаб., д.ф-м.н. В.П.Попов''
** Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, [[Двуреченский, Анатолий Васильевич|А. В. Двуреченский]]▼
▲** Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроникимикрофотоэлектроники
, ''и.о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А.П.Ковчавцев''
** Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий▼
* Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. О.В. Наумова''
** Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики▼
▲** Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем,систем
. ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, [[Двуреченский, Анатолий Васильевич|А. В. Двуреченский]]''
** Лаборатория мощных газовых лазеров
▲** Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологийтехнологий
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. Н.Н.Рубцова''
** Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
▲** Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностикидиагностики
, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. И.И.Рябцев''
* Омский филиал ИФП
* Лаборатория мощных газовых лазеров
, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.Э.Закревский''
▲** Лаборатория физики полупроводниковых структур
 
** Лаборатория физики полупроводниковых соединений
*=== Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМКТИПМ» ===▼
** Лаборатория экологического мониторинга
** Научно-исследовательский отдел тепловидениефотохимических и телевидениятехнологий▼
▲* Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ»
** Научно-исследовательский отдел фотохимическихтепловидение технологийи телевидения
* Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
▲** Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
** Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборовсистем
** Тематический отдел моделирования оптико-электронных системприборов
** Тематический отдел моделированияприкладной оптико-электронныхэлектронной приборовтехники и технологий
** Тематический отдел прикладнойспециального оптико-электроннойтехнологического техники и технологийоборудования
** Тематический отдел специального технологического оборудования
 
=== Дирекция ===
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/Институт_физики_полупроводников_имени_А._В._Ржанова_СО_РАН