МОП-структура: различия между версиями

20 байт убрано ,  4 года назад
м
Удаление принудительных пробелов в формулах по ВП:РДБ.
(иллюстрация)
м (Удаление принудительных пробелов в формулах по ВП:РДБ.)
 
Полевые транзисторы управляются напряжением, приложенным к затвору транзистора относительно его истока.
: <math>I_c = I_u\,</math>
: <math>I_3\to 0\,</math>
 
При изменении этого напряжения (<math>U_{3u}\,</math>) изменяется состояние транзистора и ток стока (<math>I_c\,</math>).
# Для транзисторов с каналом n-типа при <math>U_{3u} < U_{nop}\,, I_c=0\,</math> транзистор закрыт;
# При <math>U_{3u} > U_{nop}\,</math> транзистор открывается и рабочая точка находится на нелинейном участке управляющей (стокозатворной) характеристики полевого транзистора
#: <math>I_c=K_n[(U_{3u}-U_{nop})U_{cu} - \frac{U_{cu}^2}{2}]\,</math>
#: <math>K_n\,</math> — удельная крутизна характеристики транзистора;
# При дальнейшем увеличение управляющего напряжения (<math>U_{3u}\,</math>) рабочая точка переходит на линейный участок стокозатворной характеристики
#: <math>I_c=\frac{K_n}{2}[U_{3u}-U_{nop}]^2\,</math> — Уравнение [[Ховстайн]]а.
 
== Особенности подключения ==