МОП-структура: различия между версиями

Нет изменений в размере ,  4 года назад
исправил опечатку
м (Удаление принудительных пробелов в формулах по ВП:РДБ.)
(исправил опечатку)
#: <math>I_c=K_n[(U_{3u}-U_{nop})U_{cu} - \frac{U_{cu}^2}{2}]</math>
#: <math>K_n</math> — удельная крутизна характеристики транзистора;
# При дальнейшем увеличениеувеличении управляющего напряжения (<math>U_{3u}</math>) рабочая точка переходит на линейный участок стокозатворной характеристики
#: <math>I_c=\frac{K_n}{2}[U_{3u}-U_{nop}]^2</math> — Уравнение [[Ховстайн]]а.
 
Анонимный участник