МОП-структура: различия между версиями

371 байт добавлено ,  3 года назад
→‎Особенности подключения: 1. Несколько уточнений. 2. Тафтология. Аббревиатура "MOSFET" расшифровывается как "МОП транзистор" (буква "T"). Таким…
(Отклонены последние 2 изменения (92.242.58.13) ванд.)
(→‎Особенности подключения: 1. Несколько уточнений. 2. Тафтология. Аббревиатура "MOSFET" расшифровывается как "МОП транзистор" (буква "T"). Таким…)
Метки: правка с мобильного устройства правка из мобильного приложения
 
== Особенности подключения ==
При подключении мощных MOSFET-транзисторов (особенно работающих на высоких частотах на пределе своих возможностей) используется стандартная обвязка транзистора:
 
# RC-цепочка (снаббер), включённая параллельно истоку-стоку, для подавления высокочастотных колебаний и мощных импульсов тока, возникающих при переключении транзистора из-за индуктивности подводящих шин. Высокочастотные колебания и импульсные токи увеличивают нагрев транзистора и могут вывести его из строя (если транзистор работает на пределе своих тепловых возможностей). Снаббер также защищает от самооткрывания транзистора при превышении скорости нарастания напряжения на выводах Сток-Исток (Drain-Source).
# Быстрый защитный диод, включённый параллельно истоку-стоку (обратное включение), для шунтирования импульса тока, образующегося при отключении индуктивной нагрузки.
# Если транзисторы работают в мостовой или полумостовой схеме на высокой частоте (сварочные инверторы, индукционные нагреватели, импульсные источники питания), то помимо защитного диода в цепь стока встречно включается диод Шоттки для блокирования паразитного диода. Паразитный диод имеет большое время запирания, что может привести к сквозным токам и выходу транзисторов из строя.
# Резистор, включённый между истоком и затвором, для сброса заряда с затвора. Затвор удерживает электрический заряд как конденсатор, и после снятия управляющего сигнала MOSFET-транзистор может не закрыться (или закрыться частично, что приведёт к повышению его сопротивления, нагреву и выходу из строя). Величина резистора подбирается таким образом, чтобы не мешать управлению транзистором, но в то же время как можно быстрее сбрасывать электрический заряд с затвора.
# Защитные диоды (супрессоры) параллельно транзистору и его затвору. При превышении напряжения питания на транзисторе (или при превышении управляющего сигнала на затворе транзистора) выше допустимого, например при импульсных помехах, супрессор срезает опасные выбросы и спасает транзистор.
# Резистор, включённый в цепь затвора, для уменьшения тока заряда затвора. Затвор мощного полевого транзистора обладает достаточно высокой ёмкостью, представляет из себя фактически конденсатор ёмкостью несколько десятков нФ, что приводит к значительным импульсным токам в момент зарядки затвора (единицы ампер). Большие импульсные токи могут повредить схему управления затвором транзистора.
# Управление мощным MOSFET-транзистором, работающем в ключевом режиме на высоких частотах осуществляют с помощью [[Драйвер (электроника)|драйвера]] — специальной схемы или готовой микросхемы, усиливающей управляющий сигнал и обеспечивающей большой импульсный ток для быстрой зарядки затвора транзистора. Это увеличивает скорость работы транзистора. Ёмкость затвора мощного силового транзистора может достигать тысячдесятков пикофарад,нанофарад. дляДля быстрой её зарядки требуется ток в единицы ампер.
# Также используются оптодрайверы — драйверы совмещённые с оптопарами. Оптодрайверы обеспечивают гальваническую развязку силовой схемы от управляющей, защищая её в случае аварии. А также обеспечивают гальваническую развязку земли при управлении верхними мосфет-транзисторамиMOSFET в мостовых схемах. Совмещение драйвера с оптопарой в одном корпусе упрощает разработку и монтаж схемы, уменьшает габариты изделия, его стоимость и т. д.
# В сильно зашумлённых или находящихся под большим током цепях кко выходувоходам микросхем, основанных на MOSFET- структурах, подключают двапо обратнопаре диодов Шоттки, включённых диодав Шотткиобратном направлении, т. н. диодную вилку (один диод — смежду общеговходом проводаи наобщей входшиной, другой — сомежду входавходом наи шинушиной питания) для предотвращения явления «защёлкивания» МОП- структуры. Однако, в некоторых случаях, применение диодной вилки может привести к нежелательному эффекту "паразитного питания" (при отключении питающего напряжения диодная вилка может работать как выпрямитель и продолжать питать схему).
 
== Примечания ==