Отражательная электронная микроскопия: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Эрг (обсуждение | вклад) м Эрг переименовал страницу Отражательная микроскопия в Отражательная электронная микроскопия |
|||
Строка 4:
Если вокруг образца поддерживаются сверхвысоковакуумные условия, то отражательная электронная микроскопия может быть использована для изучения процессов на поверхности. Её достоинства заключаются в способности различать атомные ступени, а также области с различной реконструкцией при использовании дифракционного контраста. Упруго рассеянные электроны формируют картину [[Дифракция|дифракции]] на задней фокальной плоскости объективной линзы, где один или несколько дифракционных рефлексов вырезаются [[Апертурная диафрагма|апертурной диафрагмой]]. Увеличенное изображение проецируется на экран [[микроскоп]]а.
Одна из особенностей отражательного электронного микроскопа — различие увеличений в различных направлениях вдоль плоскости объекта — связана с наклонным положением объекта по отношению к оптической оси микроскопа. Вследствие этого, увеличение такого микроскопа характеризуют обычно двумя величинами: увеличением в плоскости падения [[электронный пучок|пучка электронов]] и увеличением в плоскости, перпендикулярной плоскости падения.
В результате перспективного типа изображения, только его центральная часть находится в фокусе, в то время как верхняя и нижняя части перефокусированы и недофокусированы, соответственно. Другое следствие изображения в перспективе — это более слабое разрешение вдоль направления пучка. Практически, на электронных микроскопах такого типа достигнуто разрешение порядка 100 Å.
| |||