Википедия

Биполярный транзистор: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Метки: с мобильного устройства через мобильное приложение
отмена правки 87776246 участника 77.93.43.18 (обс.) 2018 год ещё не наступил
Строка 15:
Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.
 
В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический [[германий]]. Полупроводниковые приборы на его основе [[Германий#Радиоэлектроника|имеют ряд недостатков]], и в настоящее время (20182015 г.) биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического [[кремний|кремния]] и монокристаллического [[арсенид галлия|арсенида галлия]]. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих [[Комбинационная логика|логических схемах]] и в схемах [[СВЧ]]-[[Усилитель|усилителей]].
 
== Принцип действия ==
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор