Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м →‎История: викификация, уточнение
Нет описания правки
Строка 24:
Полевые МОП-транзисторы легко управляются, что свойственно транзисторам с изолированным затвором, и имеют встроенный диод утечки для ограничения случайных бросков тока. Типичные применения этих транзисторов — разнообразные [[Импульсный стабилизатор напряжения|импульсные преобразователи напряжения]] с высокими рабочими частотами, и даже аудио-усилители (так называемого [[Классификация электронных усилителей#.D0.A0.D0.B5.D0.B6.D0.B8.D0.BC_D|класса{{nbsp}}D]]).
 
[[Файл:SchematzastepczytranzystoraIGBTSchemat zastepczy tranzystora IGBT.pngsvg|thumb|Схематичное изображение внутренней структуры БТИЗ.]]
Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР в НИИ «Пульсар» (разработчик — В. В. Бачурин) в 1973 году, а их ключевые свойства исследованы в Смоленском филиале МЭИ (научный руководитель — [[Дьяконов, Владимир Павлович|В. П. Дьяконов]])<ref>{{книга
|автор = {{nobr|Дьяконов В. П.}} и др.