Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями
[непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м →История: викификация, уточнение |
Нет описания правки |
||
Строка 24:
Полевые МОП-транзисторы легко управляются, что свойственно транзисторам с изолированным затвором, и имеют встроенный диод утечки для ограничения случайных бросков тока. Типичные применения этих транзисторов — разнообразные [[Импульсный стабилизатор напряжения|импульсные преобразователи напряжения]] с высокими рабочими частотами, и даже аудио-усилители (так называемого [[Классификация электронных усилителей#.D0.A0.D0.B5.D0.B6.D0.B8.D0.BC_D|класса{{nbsp}}D]]).
[[Файл:
Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР в НИИ «Пульсар» (разработчик — В. В. Бачурин) в 1973 году, а их ключевые свойства исследованы в Смоленском филиале МЭИ (научный руководитель — [[Дьяконов, Владимир Павлович|В. П. Дьяконов]])<ref>{{книга
|автор = {{nobr|Дьяконов В. П.}} и др.
|