LPDDR: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Спасено источников — 1, отмечено мёртвыми — 0. #IABot (v1.6.5) |
→LPDDR3: Исправлена скорость на стандартное обозначение для DDR |
||
Строка 33:
Модули памяти LPDDR4 отличаются увеличенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3, которая возросла до {{нет АИ 2|17 ГБ/с|20|02|2018}}. Энергопотребление, напротив, снизилось на 40 % и составляет 1,1 Вт, что означает увеличенное время автономной работы устройств от аккумулятора.{{нет АИ|18|09|2014}}
Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-focus-mobile-technology-upcoming-conference JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology]</ref>. В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 Гб) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200
25 августа 2014 года [[JEDEC]] выпустила стандарт [http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd209-4 JESD209-4] «LPDDR4 Low Power Memory Device»<ref>[http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-releases-lpddr4-standard-low-power-memory-devices JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices], JEDEC Solid State Technology Association</ref>.
| |||