Эффект Оже: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки |
Нет описания правки |
||
Строка 1:
[[Файл:Auger Process.svg|thumb|380px|(a) Налетающий электрон (или фотон) создает вакансию на уровне 1{{math|''s''}}, и электрон из уровня 2{{math|''s''}} заполняет вакансию, при этом энергия передается на электрон 2{{math|''p''}}, который также покидает атом, в итоге образуются две вакансии на орбиталях 2{{math|''s''}} и 2{{math|''p''}}. (b) Показан тот же процесс с помощью спектроскопической нотации, ''KL1L2,3'']]
'''Эффе́кт Оже́''' — явление, в ходе которого происходит заполнение [[электрон]]ом вакансии, образованной на одной из внутренних [[электронная оболочка|электронных оболочек атома]] (вакансия возникает путём «выбивания» другого электрона рентгеновским или гамма-излучением, электронным ударом, в результате [[Внутренняя конверсия|внутренней конверсии]] или [[Электронный захват|электронного захвата]])<ref>{{GoldBookRef|title=Эффект Оже|url=http://goldbook.iupac.org/A00520.html}}</ref>.
При «выбивании» излучением на внутренней электронной оболочке образуется вакансия. Такое состояние неустойчиво и [[электронная подсистема]] стремится минимизировать энергию за счёт заполнения вакансии электроном с одного из вышележащих уровней энергии [[атом]]а. Выделяющаяся при переходе на нижележащий уровень энергия может быть испущена в виде [[квант]]а характеристического [[Рентгеновское излучение|рентгеновского излучения]], либо передана третьему электрону, который вынужденно покидает атом. Первый процесс более вероятен при энергии связи электрона, превышающей {{nobr|1 [[кэВ]]}}, второй — для лёгких атомов и энергии связи электрона, не превышающей {{nobr|1 кэВ}}.
| |||