Варикап: различия между версиями

[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м отмена правки 93631943 участника 164.177.181.30 (обс.)
Метка: отмена
орфография
Строка 7:
Варикапы с большой рассеиваемой мощностью, предназначенные для умножения частоты в радиопередатчиках, принято называть '''[[варактор]]ами'''.
 
Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты [[Колебательный контур|колебательного контура]] в частотноизбирательныхчастотно-избирательных цепях, деления и умножения частоты, [[Частотная модуляция|частотной модуляции]], управляемых [[Фазовращатель|фазовращателей]] и др.
 
== Принцип работы варикапа ==
[[Файл:Varactor function-ru.svg|thumb|Изменение толщины барьерного обеднённого слоя вблизи p-n-перехода при изменении обратного напряжения, приложенного к структуре.]]
[[Файл:VFH varikap.svg|thumb|Типичная вольт-фарадная характеристика варикапа.]]
При отсутствии внешнего приложенного к электродам напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее [[электрическое поле]], возникновение которого обусловлено [[контактная разность потенциалов|контактной разностью потенциалов]] между полупроводниками p-типа и n-типа. Нормальный режим работы варикапа — с обратным смещением. Если к диоду приложить обратное напряжение (то есть [[катод]] должен иметь положительный потенциал относительно [[анод]]а), то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает [[электрон]]ы в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, то есть слой полупроводника, лишенный носителей заряда и по сути являющийся диэлектриком. При увеличении обратного напряжения толщина обеднённого слоя увеличивается. Это можно представить в виде плоского [[Электрический конденсатор|конденсатора]], в котором обкладками служат необеднённыенеобъединённые зоны полупроводника и с переменной толщиной слоя диэлектрика.
 
В соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено толщиной базы, далее которой толщина обеднённого слоя увеличиваться не может, по достижении этого минимума ёмкости с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется. Другой ограничивающий фактор управляемого снижения ёмкости — электрический лавинный пробой обеднённого слоя.
Строка 36:
== Конструкция ==
[[Файл:Varactor-ru.svg|thumb|Внутренняя структура варикапа.]]
Обычно варикапы изготавливаются по планарнопланомерно-эпитаксиальной технологии, позволяющей оптимизировать электрические параметры прибора. На пластине сильнолегированного низкоомного полупроводника (обычно с n-типом проводимости, обозначается n<sup>+</sup>) выращивается высокоомная плёнка низколегированного полупроводника n-типа. C помощью диффузии акцепторной примеси на поверхности эпитаксиального слоя формируется низкоомный анодный слой p-типа.
 
Боковая поверхность структуры для защиты выходящего на поверхность p-n-перехода и увеличения обратного пробойного напряжения покрывается легкоплавким стеклом.