Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями

Первый промышленный образец БТИЗ был запатентован [[International Rectifier]] в 1983 году. Позднее, в 1985 году, был разработан биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) с полностью плоской структурой (без V-канала) и более высокими рабочими напряжениями. Это произошло почти одновременно в лабораториях фирм [[General Electric]] в городе [[Скенектади]] (штат Нью-Йорк) и в [[RCA]] в [[Принстон (Нью-Джерси)|Принстоне]] (Нью-Джерси). {{нет АИ 2|Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET.|28|09|2016}} В прошлом90-ые года десятилетии{{когда}} приняли название IGBT. Первые БТИЗ не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е годы) и третье (современное) поколения БТИЗ в целом избавились от этих пороков.