МОП-структура: различия между версиями

43 байта добавлено ,  1 год назад
→‎Особенности подключения: Уточнил описание процесса, что снаббер защищает от самооткрывания не при превышении скорости нарастания напряжения на стоке, а он защищает от самооткрывания, именно уменьшая скорость нарастания этого напряжения.
(→‎Особенности подключения: Уточнил описание процесса, что снаббер защищает от самооткрывания не при превышении скорости нарастания напряжения на стоке, а он защищает от самооткрывания, именно уменьшая скорость нарастания этого напряжения.)
При подключении мощных MOSFET (особенно работающих на высоких частотах на пределе своих возможностей) используется стандартная обвязка транзистора:
 
# RC-цепочка (снаббер), включённая параллельно истоку-стоку, для подавления высокочастотных колебаний и мощных импульсов тока, возникающих при переключении транзистора из-за индуктивности подводящих шин. Высокочастотные колебания и импульсные токи увеличивают нагрев транзистора и могут вывести его из строя (если транзистор работает на пределе своих тепловых возможностей). Снаббер также защищаетуменьшает от самооткрывания транзистора при превышении скоростискорость нарастания напряжения на выводах сток-исток, чем защищает транзистор от самооткрывания через проходную емкость.
# Быстрый защитный диод, включённый параллельно истоку-стоку (обратное включение), для шунтирования импульса тока, образующегося при отключении индуктивной нагрузки.
# Если транзисторы работают в мостовой или полумостовой схеме на высокой частоте (сварочные инверторы, индукционные нагреватели, импульсные источники питания), то помимо защитного диода в цепь стока встречно включается [[диод Шоттки]] для блокирования паразитного диода. Паразитный диод имеет большое время запирания, что может привести к сквозным токам и выходу транзисторов из строя.
Анонимный участник