Intel 8085: различия между версиями

8085 выпускался по [[Технологический процесс в электронной промышленности|3-х микронной технологии]], это позволило уместить на [[Ядро микропроцессора|кристалл]], по площади равный кристаллу [[Intel 8080]], 6&nbsp;500 транзисторов. На кристалле размещался преобразователь для напряжения подложки, благодаря чему 8085 использовал всего одно питание с напряжением +5&nbsp;вольт (что нашло отражение в нумерации в виде цифры «5») <ref>[http://www.intel.com/cd/corporate/europe/emea/rus/359724.htm Как разрабатывались первые микросхемы Intel] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20110717200651/http://www.intel.com/cd/corporate/europe/emea/rus/359724.htm |date=2011-07-17 }}</ref>. Первоначально использовалась технология nMOS (i8080A), но вскоре заменена на HMOS (High-performance MOS), что позволило поднять такт. Максимальная тактовая частота исходнойnMOS версии 1976 года составляла 3&nbsp;МГц, позднееа былив выпущеныболее моделипоздней сHMOS частотами 6&nbsp;МГцверсии (i8085A-1что с буквой H) идостигла 56&nbsp;МГц (i8085Ai8085AH-21). Кристалл 8085 содержал свой задающий генератор, системный контроллер и контроллер приоритетных [[прерывания|прерываний]], позволяющий обслуживать прерывания с 4-х доп.входов запроса прерываний. Т.о по сравнению с 8080 отпадали [[8224|i8224]], i8228 и i8259 <ref>{{книга