Википедия

Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Согласовал слова в предложении
Метки: с мобильного устройства из мобильной версии
→‎История: стилевые правки, пунктуация, орфография
Строка 19:
* имеют низкое сопротивление канала (менее миллиома);
* могут работать в широком диапазоне токов (от миллиампер до сотен ампер);
* имеют высокую частоту переключения (сотни кило[[Герц (единица измерения)|герцкилогерц]] и больше);
* высокие рабочие напряжения при больших линейных и нагрузочных изменениях, тяжёлых рабочих циклах и низких выходных мощностях.
 
Полевые МОП-транзисторы легко управляются, что свойственно транзисторам с изолированным затвором, и имеют встроенный диод утечки для ограничения случайных бросков тока. Типичные применения этих транзисторов — разнообразные [[Импульсный стабилизатор напряжения|импульсные преобразователи напряжения]] с высокими рабочими частотами, и даже аудио-усилители (так называемого [[Классификация электронных усилителей#.D0.A0.D0.B5.D0.B6.D0.B8.D0.BC_DРежим D|класса{{nbsp}}D]]).
[[Файл:IGBT equivalent circuit EN.svg|альт=|мини|Схематичное изображение внутренней структуры БТИЗ.]]
Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР в [[Научно-производственное предприятие «Пульсар»|НИИ «Пульсар»]] (разработчик — В. В. Бачурин) в 1973 году, а их ключевые свойства исследованы в Смоленском филиале [[МЭИ]] (научный руководитель — [[Дьяконов, Владимир Павлович|В. П. Дьяконов]])<ref>{{книга
|автор = {{nobr|Дьяконов В. П.}} и др.
|заглавие = Энциклопедия устройств на полевых транзисторах
Строка 32:
|страниц = 512
}}</ref>.
В рамках этих работ в 1977 году былибыл предложеныпредложен составныесоставной транзисторытранзистор, св управлениемкотором мощныммощный биполярнымбиполярный транзисторомтранзистор суправляется помощьюпосредством полевого транзистора с изолированным затвором. Было показано, что выходные токи и напряжения составных структур определяются биполярным транзистором, а входные — полевым. БылоПри доказано, чтоэтом биполярный транзистор в ключе на основе составного транзистора не насыщается, что резко уменьшает задержку при выключении ключа<ref>{{статья
|автор = {{nobr|Дьяконов В. П.}} и др.
|заглавие = Статические вольт-амперные характеристики ненасыщающихся составных транзисторов на биполярных и полевых транзисторах
Строка 39:
|номер = 4
|страницы = 6
}}</ref>, былии показаныопределяет достоинства таких транзисторовприборов в роли силовых ключей<ref>{{статья
|автор = {{nobr|Дьяконов В. П.}} и др.
|заглавие = Сильноточные не насыщающиеся ключи на составных транзисторах
Строка 46:
|номер = 2
|страницы = 56
}}</ref>. На «полупроводниковый прибор, выполненныйназванный «побистором», получено авторское свидетельство СССР № 757051. Он выполнен в виде единой структуры, содержащей мощный биполярный транзистор, на поверхности которого создан полевой транзистор с V-образным изолированным затвором»<ref>{{статья названый|автор=Дьяконов «побистором»,В. полученоП. авторское|заглавие= свидетельствоПобистор СССРили № 757051<ref>[IGBT и имитационное моделирование устройств на них |ссылка=http://www.power-e.ru/2010_5_24.php Побистор|издание=Силовая илиЭлектроника IGBT|место= и|издательство= имитационное|год=2010 моделирование|номер=5 устройств|страницы=24—32 на|isbn= них<!--|issn= Заголовок|ref= добавлен|archiveurl= ботом -->]|archivedate=}}</ref>
 
[[Файл:IGBT_Tr_Stuct.jpg|thumb|Структура БТИЗ-транзистора.]]
Первый промышленный образец БТИЗ был запатентован [[International Rectifier]] в 1983 году. Позднее, в 1985 году, был разработан биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) с полностью плоской структурой (без V-канала) и более высокими рабочими напряжениями. Это произошло почти одновременно в лабораториях фирм [[General Electric]] в городе ([[Скенектади]], (штат Нью-Йорк) и в [[RCA]] в ([[Принстон (Нью-Джерси)|ПринстонеПринстон]], штат (Нью-Джерси). {{нет АИ 2|Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET.|28|09|2016}} В 901990-ые годае годы приняли название IGBT. Первые БТИЗ не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е годы) и третье (современное) поколения БТИЗ в целом избавились от этих пороков.
 
== Достоинства ==
БТИЗ сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
* высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от [[Полевой транзистор|полевых транзисторов]] с изолированным затвором;
* низкое значение остаточного напряжения во включенномвключённом состоянии — от [[биполярныйБиполярный транзистор|биполярных транзисторов]].;
* малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
* характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор_с_изолированным_затвором