Список микроэлектронных производств

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГПравить

Микроэлектронное производство в России[1]:

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Ангстрем-Т[1](в стадии банкротства[2][3])   Зеленоград 45 млрд рублей[4] 05 августа 2016 года производство начато[5]. 200[4] 130-110[4] (возм. до 90 нм) 15000[4]
Ангстрем Линия 150   Зеленоград 150 600 (КНС/КНИ) 8000[6]
Ангстрем Линия 100   Зеленоград 100 1200 (КНС) 4000[6]
НИИМЭ и Микрон Микрон   Зеленоград ~400 млн $[7] 2012 200 90 3000[8]
НИИМЭ и Микрон Микрон   Зеленоград 2009[9] 200 180
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1]   Москва (АЗЛК) $200 млн[10] 2016[11] 200/300 90/55
только MRAM слои[12]
до 4000
НИИИС[1]   Нижний Новгород 150 Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр»   Зеленоград 100
Исток[1]   Фрязино 150 мм
Микран[1]   Томск 25 марта 2015[13]. 100 мм
Группа Кремний ЭЛ[14]   Брянск 19 марта 2019 500
ВЗПП-Микрон[15]   Воронеж 100/150 мм
ВЗПП-С[16]   Воронеж
Синтез Микроэлектроника[17]   Воронеж 200 350
НЗПП с ОКБ[18] и НПП «Восток»   Новосибирск 200 180/250[19]
НИИ Системных исследований РАН[20]   Москва 250/350/500 мелкосерийное производство, опытные партии
Протон[21]   Орёл
НПП Пульсар[22]   Москва
Российские космические системы[23]   Москва 76,2/100/150 1000
ВЗПП-Микрон Светлана-Полупроводники[24]   Воронеж
Росэлектроника Светлана-Рост   Санкт-Петербург 50,8/76,2/100 200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор[25] Светлана-Электронприбор   Санкт-Петербург
НИИ полупроводниковых приборов[26]   Томск
Центральное конструкторское бюро автоматики[27]   Омск 900
ADGEX[28]   Санкт-Петербург 12,5 500

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):[29][30][31][32][33]

  • 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм[31];
  • 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
  • 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странахПравить

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд долл. Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Intel D1D[34] Hillsboro, Орегон, США 2003 300 22
Intel D1C[34] Hillsboro, Орегон, США 2001 300 32
Intel D1X[35] Hillsboro, Орегон, США 2013 300 22
Intel Fab 12[34] Chandler, Аризона, США 1996 300 65
Intel Fab 32[34][36] Chandler, Аризона, США 3 2007 300 45
Intel Fab 32[34][37] Chandler, Аризона, США 300 32 / 22
Intel Fab 42[38][39] Chandler, Аризона, США 5 план 2013, не запускалась[40] 300 10 / 7
Intel Fab 11x[34] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 32
Intel Fab 11x[34] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 45
Intel Fab 17[34] Hudson, Massachusetts, USA 1998 200
Intel Fab 10[34] Leixlip, Ирландия 1994 200
Intel Fab 14[34] Leixlip, Ирландия 1998 200
Intel Fab 24[34] Leixlip, Ирландия 2006 300 65
Intel Fab 24[34] Leixlip, Ирландия 2006 300 90
Intel Fab 28[34] Kiryat Gat, Израиль 2008 300 45 / 22
Intel Fab 68[34][41] Dalian, Китай 2,5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1[42] Guadalajara, Мексика 2002
Micron USA, Virginia 300
GlobalFoundries Fab 1[43] Дрезден, Германия 2.5 2005 300 45 и менее 80 000
GlobalFoundries Fab 7[43] Сингапур 300 130-40 50 000
GlobalFoundries Fab 8[43][44] Malta, New York, США 4.6 2012 300 28 60 000
GlobalFoundries Fab 2[45] Сингапур 200 600-350 50 000
GlobalFoundries Fab 3/5[46] Сингапур 200 350-180 54 000
GlobalFoundries Fab 3E[45] Сингапур 200 180 34 000
GlobalFoundries Fab 6[45] Сингапур 200 110 45 000
GlobalFoundries Fab 9[47] Abu Dhabi, ОАЭ 2015
TSMC Fab 2[48] Hsinchu, Тайвань 150
TSMC Fab 3 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 5 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 6 Tainan, Тайвань 200
TSMC Fab 8 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 10 Shanghai, Китай 200
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 28
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 22
TSMC Fab 12(P4) Hsinchu, Тайвань
TSMC Fab 14 Tainan, Тайвань 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Camas, Washington, США 200
TSMC Fab 15[49] Taichung, Тайвань 2011Q4 300 28
TSMC Fab 15[49] Taichung, Тайвань конец 2011 300 20
TSMC Fab 16 Taichung, Тайвань План 300 28
UMC Fab 6A Hsinchu, Тайвань 150
UMC Fab 8AB Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8C Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8D Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8E Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8F Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8S Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 12A Tainan, Тайвань 300
UMC Fab 12 Сингапур 300
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 1 Тайвань, Hsinchu 200
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 2 Тайвань, Hsinchu 200
IM Flash IM Flash[50] Сингапур 2011.04 300 25
IM Flash IM Flash Lehi, Utah, США 300 20
IM Flash IM Flash Manassas, Virginia, США
NXP Semiconductors DHAM[51] Германия, Гамбург
NXP Semiconductors Китай, Jilin
NXP Semiconductors Великобритания, Манчестер
NXP Semiconductors ICN8 Нидерланды, Nijmegen
NXP Semiconductors SSMC Сингапур
IBM Building 323[52][53] East Fishkill, N.Y., США 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Essex Junction, VT, США 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 Crolles, Франция 1993 200
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 65
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 45
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 32
STMicroelectronics Agrate Agrate Brianza, Italy 200
STMicroelectronics Catania Catania, Italy 1997 200
STMicroelectronics Rousset Rousset, Франция 2000 200
CNSE NanoFab 300 North[54] Albany, NY, США .175 2005 300 65
CNSE NanoFab 300 North[54] Albany, NY, США 300 45
CNSE NanoFab 300 North[54] Albany, NY, США 300 32
CNSE NanoFab 300 North[54] Albany, NY, США 300 22
CNSE NanoFab 300 South[54] Albany, NY, США .050 2004 300 22
CNSE NanoFab 200[55] Albany, NY, США .016 1997 200
CNSE NanoFab Central[54] Albany, NY, США .150 2009 300 22
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[56] Тайвань 300 90
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[56] Тайвань 300 70
Freescale Semiconductor ATMC[57] Остин, Техас, США 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab[58] Chandler, Arizona, США 1.1[59] 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab[60] Остин, Техас, США .8[61] 1991 200 250
Freescale Semiconductor Sendai Fab[62] Sendai, Япония 1987 150 500
Freescale Semiconductor Toulouse Fab[63] Toulouse, Франция 1969 150 650
SMIC S1 Mega Fab[64] Shanghai, Китай 200 90 94 тыс. суммарно на S1[65]
SMIC S1 Mega Fab[64] Shanghai, Китай 200 350
SMIC S1 Mega Fab[64] Shanghai, Китай 200 90
SMIC S2[64] Shanghai, Китай 300 45/40
SMIC B1 Mega Fab[64] Beijing, Китай 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab[64] Beijing, Китай 2004 300 65/55 36 тысяч суммарно на B1[65]
SMIC Fab 7[64] Tianjin, Китай 2004 200 350 39 тысяч суммарно на F7[65]
SMIC Fab 7[64] Tianjin, Китай 200 130
SMIC Fab 8 Шанхай, Китай 200 45-28 нм 15 тысяч суммарно на F8[65]
Winbond Memory Product Foundry[66] Taichung, Тайвань 300 90
Winbond Memory Product Foundry[66] Taichung, Тайвань 300 65
MagnaChip F-5[67] Cheongju, Южная Корея 2005 200 130
ProMOS Fab 4[68][69] Taichung, Тайвань 1.6 300 70
Telefunken Semiconductors Heilbronn Heilbronn, Германия 150 10,000
Telefunken Semiconductors Roseville fab[70] Roseville, CA, США 200
Hynix M7[71] Icheon, Южная Корея 200
Hynix M8[71] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix M9[71] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix E1[71] Eugene, OR, США 200
Hynix HC1[71] Wuxi, Китай 200
Fujitsu Fab No. 1[72] Mie Prefecture, Япония 2005 300 65 15,000
Fujitsu Fab No. 1[72] Mie Prefecture, Япония 2005 300 90 15,000
Fujitsu Fab No. 2[72] Mie Prefecture, Япония 2007 300 65 25,000
Fujitsu Fab No. 2[72] Mie Prefecture, Япония 2007 300 90 25,000
Cypress Semiconductor[en] Minnesota fab Bloomington, MN, США 65
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 90
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 130
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 180
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 250
Cypress Semiconductor[en] Minnesota fab Bloomington, MN, США 1991 350
ON Semiconductor[en] Gresham[73] Gresham, OR, США Future 200 65
ON Semiconductor[en] Gresham[73] Gresham, OR, США 200 130
ON Semiconductor[en] Pocatello[74] Pocatello, ID США 200 350
ON Semiconductor[en] Pocatello[74] Pocatello, ID США 200 5000
National Semiconductor Greenock[75] Greenock, Scotland 150 20,833
National Semiconductor South Portland[76] South Portland, ME, США .932 1997 350
National Semiconductor South Portland[76] South Portland, ME, США 250
National Semiconductor South Portland[76] South Portland, ME, США 180
National Semiconductor West Jordan West Jordan, UT, США 1977 102
National Semiconductor Arlington Arlington, TX, США 1985 152
Samsung Line-16[77] Hwaseong, Южная Корея 2011 300 20 12,000
Samsung S2[78] USA, TX, Остин 2011 300 32 40,000
Tower Semiconductor[en] Fab 1[79] Израиль, Migdal Haemek 1989
Tower Semiconductor[en] Fab 2[79] Израиль, Migdal Haemek 2003 200 130-180
Tower Semiconductor[en] Fab 3[79] США, Калифорния, Newport Beach 1967 200[80] 130-500 17,000
Tower Semiconductor[en] Fab 4[79] Япония, Nishiwaki City

ПримечанияПравить

  1. 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Market Update Russia – Nov 2012 (англ.). SEMI Europe (November 2012). Дата обращения 3 декабря 2013.
  2. «Ангстрем-Т» банкрот. Признано официально. https://www.cnews.ru (28.10.2019).
  3. Анастасия Степанова. Завод микроэлектроники «Ангстрем-Т» — банкрот: как же бюджетные миллиарды?. regnum.ru (05.11.2019).
  4. 1 2 3 4 Годовой отчет Открытого акционерного общества «Ангстрем-Т» за 2008 год Архивная копия от 15 января 2014 на Wayback Machine, 30.05.2008,
  5. Фабрика Ангстрем-Т введена в коммерческую эксплуатацию (недоступная ссылка). Дата обращения 7 августа 2016. Архивировано 10 августа 2016 года.
  6. 1 2 Производственная база / Кристальное производство Архивная копия от 13 января 2013 на Wayback Machine // Ангстрем
  7. David Manners, ST, Mikron to finish 90nm jv fab this year // Electronics Weekly, 1 March 2011
  8. Роснано и СИТРОНИКС, 2012.
  9. JSC Mikron, Experience of 90nm technology transfer and facilities upgrade Архивная копия от 25 мая 2015 на Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012 (англ.)
  10. Портфельная компания РОСНАНО, 2013.
  11. О компании
  12. Производственные технологии
  13. в среду открыл в Томске завод радиоэлектроники
  14. http://group-kremny.ru
  15. http://www.vsp-mikron.com/139.html
  16. http://www.vzpp-s.ru
  17. http://www.syntezmicro.ru/
  18. http://nzpp.ru
  19. http://infopro54.ru/news/texperevooruzhenie-klastera-mikroelektroniki-planiruyut-zavershit-k-2020-godu/
  20. https://www.niisi.ru
  21. http://www.proton-orel.ru
  22. http://pulsarnpp.ru
  23. http://russianspacesystems.ru/
  24. http://svetpol.ru
  25. http://www.svetlanajsc.ru/ru/
  26. https://www.niipp.ru
  27. http://www.ckba.net
  28. https://adgex.com
  29. Section 1 WORLDWIDE IC INDUSTRY ECONOMIC UPDATE AND FORECAST of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5, pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42, (англ.)
  30. Smith, Sonnenfeld, Pellow, 2006,
    .
  31. 1 2 Russia’s Technology Industry Enters New Era (англ.), SEMI (2008). Дата обращения 28 мая 2015. «
    ».
  32. Интеграл, 2010.
  33. INTEGRAL Joint Stock Company. Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: «Production capacities. Wafer fabs», слайды 5, 6 (англ.)
  34. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Intel Global Manufacturing Facts, 2011
  35. Intel Announces Multi-Billion-Dollar Investment in Next-Generation Manufacturing in U.S
  36. Intels $3 Billion Fab Now Open for Business
  37. PRESS KIT — Fab 32 (англ.)
  38. Intel to Invest More than $5 Billion to Build New Factory in Arizona
  39. Intel's new $5 billion plant in Arizona has Obama's blessing. https://www.usatoday.com.+Дата обращения 28 марта 0201. Архивировано 27 октября 2012 года.
  40. Intel shelves delayed Fab 42 facility // Bit-tech, 2014-01-15
  41. Intel Opens $2.5 Billion Fab Plant in China
  42. Exports and local development … — Patricia Ann Wilson: Motorola Plant Reference in a book
  43. 1 2 3 300mm Manufacturing // GlobalFoundries
  44. World’s Most Advanced Semiconductor Foundry To Use GE’s Water Purification System, The Street (14 июня 2010). Архивировано 11 октября 2012 года. Дата обращения 1 июня 2011.
  45. 1 2 3 200mm
  46. 200mm
  47. Cooper, Robin K.. GlobalFoundries to build Abu Dhabi plant in 2012 (24 мая 2011).
  48. Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата обращения 21 апреля 2012.
  49. 1 2 TSMC Acquires PSC Land for New Fab Construction, Taiwan Economic News (13 января 2011). Архивировано 24 июля 2011 года. Дата обращения 13 января 2011.
  50. Intel, Micron open US$3 billion NAND flash facility in Singapore, DigiTimes (11 апреля 2011). Дата обращения 11 апреля 2011.
  51. About NXP
  52. IBM's Cutting-Edge $2.5 Billion Fab Reaps $500 Million in NY Incentives, The Site Selection (1 ноября 2000). Дата обращения 16 апреля 2011.
  53. IBM's $2.5B fab turns Hudson into silicon valley, EE Times (2002-8-05). Дата обращения 27 мая 2011.
  54. 1 2 3 4 5 6 300mm Wafer Fabrication Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  55. 200mm Wafer Fabrication (недоступная ссылка). Дата обращения 7 ноября 2011. Архивировано 25 декабря 2010 года.
  56. 1 2 Foundry Services (недоступная ссылка). Дата обращения 7 ноября 2011. Архивировано 20 июля 2011 года.
  57. Freescale Austin Technology & Manufacturing Center
  58. Freescale Chandler Fab
  59. Motorola Restarts MOS 12 Facility Expansion, Electronic News (1999). Архивировано 8 июля 2012 года. Дата обращения 6 октября 2011.
  60. Freescale Oak Hill Fab
  61. R & D Collaboration on Trial: The Microelectronics and Computer Technology Corporation, Harvard Business School Press (1994). Дата обращения 6 октября 2011.
  62. Freescale Sendai Fab
  63. Freescale Toulouse Fab
  64. 1 2 3 4 5 6 7 8 SMIC — Fab Information (недоступная ссылка). Дата обращения 7 ноября 2011. Архивировано 27 ноября 2011 года.
  65. 1 2 3 4 Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective Архивная копия от 7 марта 2016 на Wayback Machine / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
  66. 1 2 Memory Product Foundry (недоступная ссылка). Дата обращения 7 ноября 2011. Архивировано 8 октября 2011 года.
  67. MagnaChip ups capex, tips 130-nm process (недоступная ссылка)
  68. ProMOS Goes for 70nm DRAM, SOFTPEDIA (13 августа 2007). Дата обращения 27 мая 2011.
  69. Record fab construction reached in second quarter, says report, EE Times (2 июля 2004). Дата обращения 31 мая 2011.
  70. Renesas sells U.S. fab to Telefunken, EE Times (30 марта 2011). Дата обращения 31 мая 2011.
  71. 1 2 3 4 5 Hynix to Accelerate Retirement of 200mm Fabrication Plants (недоступная ссылка)
  72. 1 2 3 4 Fujitsu to Construct New Fab for Logic Chips Employing 65nm Process Technology and 300mm Wafers
  73. 1 2 Gresham, USA
  74. 1 2 Pocatello, USA
  75. Greenock, Scotland
  76. 1 2 3 South Portland, Maine (недоступная ссылка). Дата обращения 7 ноября 2011. Архивировано 20 июня 2011 года.
  77. SAMSUNG, 2011.
  78. Samsung's Austin Logic Line Breaks Record Achievements, Samsung (5 декабря 2011). Дата обращения 18 мая 2012.
  79. 1 2 3 4 TowerJazz Manufacturing
  80. GSA, 2009, с. 85.

ЛитератураПравить

СсылкиПравить