Странский, Иван Николов
Иван Николов Странский (болг. Иван Николов Странски; 2 января 1897 — 19 июня 1979) — болгарский физикохимик, основоположник болгарской школы физикохимии, который считается «отцом» выращивания кристаллов.
| Иван Николов Странский | |
|---|---|
| болг. Иван Николов Странски | |
 | |
| Дата рождения | 2 января 1897 |
| Место рождения | София, Болгария |
| Дата смерти | 19 июня 1979 (82 года) |
| Место смерти | София, Болгария |
| Страна |
 Болгария |
| Научная сфера | физическая химия |
| Место работы | Берлинский технический университет |
| Альма-матер | Софийский университет |
| Учёная степень |
доктор философии (PhD) по химии |
| Известен как | основоположник Болгарской школы физической химии и выращивания кристаллов |
| Награды и премии |
 |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Биография править
Родился в Софии в семье Николы Странского, придворного аптекаря, и Марии Странской-Корн, прибалтийской немки. Из калоферского рода Странских: дед — революционер и политик Георгий Странский; двоюродный брат — почвовед Иван Тодоров Странский. С детства страдал от костного туберкулёза, который в то время был неизлечимым заболеванием.
Окончил 1-ю мужскую софийскую гимназию. Изначально хотел изучать медицину, чтобы найти лекарство от своей болезни, однако, проучившись один год в Вене, разочаровался в своём выборе. В 1922 году окончил факультет химии Софийского университета, в Берлине под руководством Пауля Гюнтера защитил докторскую диссертацию на тему рентгеновской спектроскопии. В 1925 году избран доцентом кафедры физической химии физико-математического факультета Софийского университета и стал первым преподавателем физической химии в Болгарии. В 1929 году стал ассоциирующим профессором, в 1937 году — почётным профессором. Читал лекции по физической химии, привлекал к работе таких людей, как Ростислав Каишев и Любомир Крыстанов, с которыми осуществлял крупные исследования.
В 1930 году благодаря стипендии фонда Рокфеллера Странский устроился на работу в Берлинский технический университет, трудясь совместно с Максом Фольмером и Каишевым. В 1935—1936 годах Каишев опубликовал фундаментальные труды по теории средних отделительных работ, а Странский с Крыстановым предположил принцип выращивания кристаллов на основании другого кристалла. В его работах был выведен механизм роста Странского — Крыстанова. В 1935—1936 годах возглавлял кафедру Уральского института физики и механики в Свердловске.
По предложению Вальтера Косселя переехал в Бреслау. Во время войны занимался прикладными разработками (например, предотвращение обледенения немецких самолётов). Вернулся в Берлин в конце войны, где работал в институте физической и электрической химии имени Кайзера Вильгельма. После ареста Фольмера и его вывоза в СССР Странский возглавил кафедру физической химии Берлинского технического университета в Западном Берлине, возобновив занятия в 1945 году. Декан факультета общих и инженерных наук в 1948—1949 годах, заместитель ректора. В 1953 году возглавил институт Фрица Габера, директорами которого в прошлом были Макс фон Лауэ и Альберт Эйнштейн.
В 1944 году после прихода к власти Отечественного фронта Странского уволили с кафедры в Софийском университете, обвинив в сотрудничестве с гитлеровцами. Однако стараниями его учеников в 1960-е годы Странский был избран иностранным членом Болгарской академии наук, а в 1967 году впервые после войны приехал на Родину. Скончался в 1979 году, похоронен в Берлине.
Член Гёттингенской академии наук (1939), Баварской академии наук (1959), Нью-Йоркской академии наук и Шведской академии наук. Почётный сенатор Берлинского технического университета Западного Берлина (1962). Имя Странского присвоено Институту физике и химии Берлинского технического университета и Институту металлургии в Оберхаузене. Дважды кавалер ордена Кирилла и Мефодия, лауреат множества международных наград и премий.
Научные работы править
Вместе с Косселем Странский основал молекулярно-кинетическую теорию формирования и роста кристаллов, первым ввёл понятие «положение полукристалла». Вместе с Ростиславом Каиешвым установил связь между форматом, структурой и силой межмолекулярного взаимодействия в кристаллах на базе молекулярной трактовки. Разработал метод средних отделительных работ — молекулярно-кинетический метод, который сыграл роль в развитии теории зарождения и роста кристаллов. Автод модели Каишева — Странского послойного роста кристаллов, объяснил связь между двумерным зародышеобразованием и спиральным ростом кристаллов. С Любомиром Крыстановым вывел механизм роста кристалла одного на другом. В Берлине работа в разных областях физической химии, преимущественно теоретических разработках с практическим приложением: триболюминисценция, плавление, разложение уротропина, электронная эмиссия кристальных поверхностей (предпосылка к созданию автоэмиссионного микроскопа — FEM). Серьёзное приложение получили работы в области металлургии, которые повысили эффективности добычи руды в Западной Германии[1][1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12].
Библиография править
- I. N. Stranski, Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. physik, Chem., 136, 259 (1928)
- I. N. Stranski, D. Totomanow, Die Ostwald'sche Stufenregel, Naturwissenschaften, 20, 905 (1932)
- I. N. Stranski, L. Krastanov, Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, Sitzungsber. d. Akad. d. Wissensch. Wien, Math.-naturw. Kl. Abt. IIb, 146, 797 (1938)
Примечания править
- ↑ 1 2 Surface structures of ionic crystals. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 7 декабря 2018 года.
- ↑ Beiträge zur Röntgenspektralanalyse. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ "Katalyse": Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
- ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms. Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
Ссылки править
- Страница на сайте Берлинского технического университета
- Gutzov, Ivan S. In Memoriam: Prof.Dr. Ivan Stranski (1897 – 1979): one of the Founders of the Present-day Theory of Crystal Forms, Crystal Nucleation and Growth (англ.) // Cryst. Res. Technol. : journal. — 1997. — Vol. 32, no. 6. — P. 753 — 758.
- In Memoriam