Суперинжекция — явление многократного увеличения концентрации электронов и дырок в полупроводнике, через который проходит электрический ток, по сравнению с их концентрацией в эмиттере. Наблюдается при прохождении электрического тока из полупроводника с большей шириной запрещённой зоны через полупроводник с меньшей шириной запрещённой зоны. Возникает вследствие наличия потенциального барьера в месте контакта полупроводников. Явление было предсказано в 1966 г. Ж. Алфёровым[1] Эффект суперинжекции широко применяется в полупроводниковых светодиодах и лазерах.[2]

См. также править

Примечания править

  1. Elibrary.ruПолупроводниковые лазеры и нанотехнологии. Доклад академика Ж. И. Алферова // Вестник Российской академии наук. 2011. Т. 81. № 6. С. 488-495.
  2. Алексей Понятов. Алмазные светодиоды вместо гетероструктур? // Наука и жизнь. — 2019. — № 5. — С. 48—49. Архивировано 8 мая 2019 года.