Файл:TyNiemeyerDolanTechnique.png
Размер этого предпросмотра: 485 × 600 пкс. Другие разрешения: 194 × 240 пкс | 388 × 480 пкс | 621 × 768 пкс | 828 × 1024 пкс | 1704 × 2108 пкс.
Исходный файл (1704 × 2108 пкс, размер файла: 103 КБ, MIME-тип: image/png)
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы посмотреть файл, который был загружен в тот момент.
Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
---|---|---|---|---|---|
текущий | 15:34, 12 октября 2005 | 1704 × 2108 (103 КБ) | DrTorstenHenning | {{English}} Niemeyer-Dolan (angular evaporation) technique for the fabrication of single electron transistors. '''a''': Side view, cut along the current path. '''b''': Side view, cut perpendicular to the current path, and showing the resist mask and the l |
Использование файла
Следующая страница использует этот файл:
Глобальное использование файла
Данный файл используется в следующих вики:
- Использование в ca.wikipedia.org
- Использование в en.wikipedia.org
- Использование в fa.wikipedia.org