Фотопластический эффект

Фотопластический эффект — явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт Ю. А. Осипьяном и И. Б. Савченко в 1968 году^[1]^[2]^[3]. Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.^[1]

Примечания править

↑ ¹ ² Конюшая Ю. П. Открытия советских учёных. — М.: «Московский рабочий», 1979. — 410 с.
↑ Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М. и др. «Памяти Юрия Андреевича Осипьяна Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine» // УФН. — 2008. — № 178. — С. 1239—1240.
↑ Вавилов В. С. «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine» // УФН. — 1994. — № 164. — С. 287—296.

Литература править

Физика соединений A2B6. Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. — М.: «Наука», 1986. — 320 с.

[Konu-1] ¹ ² Конюшая Ю. П. Открытия советских учёных. — М.: «Московский рабочий», 1979. — 410 с.

[2] Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М. и др. «Памяти Юрия Андреевича Осипьяна Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine» // УФН. — 2008. — № 178. — С. 1239—1240.

[3] Вавилов В. С. «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine» // УФН. — 1994. — № 164. — С. 287—296.

[1]

[2]

[3]