Ник Холоньяк (англ. Nick Holonyak; 3 ноября 1928[3], Зейглер[d], Иллинойс[1] — 20 сентября 2022[2], Эрбана, Иллинойс[2]) — американский учёный и изобретатель, член Национальной и Национальной инженерной академий наук США. Создал первые полупроводниковый светодиод и лазерный диод видимого света.

Ник Холоньяк
англ. Nick Holonyak, Jr
Дата рождения 11 марта 1928(1928-03-11)
Место рождения
Дата смерти 18 сентября 2022(2022-09-18) (94 года)
Место смерти
Страна
Научная сфера Физика
Место работы General Electric
Альма-матер Иллинойсский университет в Урбане и Шампейне
Научный руководитель Джон Бардин
Ученики Рассел Дюпюи[en]
Известен как Изобретатель светодиода
Награды и премии
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

Биография править

Его родители Ник и Анна Холоньяк[4], русины, эмигрировали из Закарпатья (ныне Украина; отец — в 1909 году, когда это была Австро-Венгерская империя, мать — из Хуста в 1921 году, когда это была Чехословакия[5]) в Соединённые Штаты и обосновались на юге штата Иллинойс. Отец работал на угольной шахте. Ник первым из членов семьи получил школьное образование. Однажды ему пришлось работать 30 часов подряд на железной дороге, и он понял, что тяжёлый труд — это не то, что ему нравится, он предпочёл бы вместо этого пойти в школу. Как остроумно заметили в публикации издательства Knight Ridder, «дешёвые и надёжные полупроводниковые лазеры, без которых немыслимы DVD-проигрыватели, считыватели штрихкодов и множество других устройств, обязаны своим существованием в некоторой степени большим нагрузкам на железнодорожные бригады несколько десятилетий назад»[6].

Холоньяк был первым аспирантом Джона Бардина в Иллинойсском университете в Урбане и Шампейне. Он получил степень бакалавра, магистра и доктора наук (1954) в этом же университете. Он создал первый полупроводниковый лазер видимого света в 1960 году. В 1963 году он снова начал сотрудничество с Бардиным, изобретателем транзистора, и занялся проблемами квантовых ям и лазеров на квантовых ямах.

С 2007 года он заведовал унаследованной от Бардина кафедрой электротехники, вычислительной техники и физики в Иллинойсском университете в Урбане и Шампейне и проводит исследования по лазерам на квантовых точках. Вместе с Милтоном Фэнгом они положили начало исследовательскому центру транзисторных лазеров при университете, который финансирует Агентство по перспективным оборонным научно-исследовательским разработкам США (DARPA).

10 из 60 его бывших аспирантов занимаются разработкой новых светодиодных технологий в компании осветительных приборов фирмы Филипс в Кремниевой долине.

В 1992 году подписал «Предупреждение человечеству»[7].

В 1997 году Оптическое общество Америки в его честь учредила Премию Ника Холоньяка. Многие коллеги выражали уверенность в том, что Холоньяк заслуживает Нобелевскую премию за изобретение светодиода. По этому вопросу он говорил: «Смешно думать, что кто-то вам что-то должен. Мы должны быть счастливы дожить до того дня, когда это произойдёт». 9 ноября 2007 года Холоньяк был удостоен установки памятного знака в университетском городке Иллинойса, тем самым был признан его огромный вклад в развитие лазеров на квантовых ямах. Знак расположен в Инженерном дворике Бардина, на том месте, где стояла старая научно-исследовательская лаборатория электротехники.

Холоньяк прожил со своей супругой Екатериной 51 год. Скончался 18 сентября 2022 года[8].

Изобретения править

Ника Холоньяка называют «отцом» современных светодиодов за изобретение первого полупроводникового светодиода видимого света[9]. Помимо изобретения светодиода, получил 41 патент на другие изобретения. К ним относятся красный полупроводниковый лазер, обычно называемый лазерным диодом (он используется в CD- и DVD-проигрывателях и сотовых телефонах[как?]), p-n-p-n ключ с замкнутым эмиттером (используется в диммерах и электроинструментах) и управляемые кремниевые выпрямители (тиристоры). Он непосредственно участвовал в создании первого диммера фирмы General Electric.

В 2006 году Американский институт физики по случаю своего 75-летия выбрал пять наиболее важных статей, опубликованных в своих журналах. Две из этих пяти статей, опубликованных в журнале Applied Physics Letters, были написаны в соавторстве с Холоньяком. Первая, написанная в соавторстве с С. Ф. Бевакуа в 1962 году, сообщала о создании первого светодиода видимого света. Вторая, написанная в соавторстве с Милтоном Фэнгом в 2005 году, известила о создании транзисторного лазера, работающего при комнатной температуре. В февральском номере Reader’s Digest в 1963 году Холоньяк предсказал, что светодиоды заменят традиционные лампы накаливания, поскольку превосходят их по качеству и эффективности[10].

Награды править

Основные публикации править

Книги
  • Gentry F.E., Gutzwiller F.W., Holonyak N., Von Zastrow E.E. Semiconductor Controlled Rectifiers: Principles and Applications of p-n-p-n Devices. — Englewood Cliffs, N.J., and London: Prentice-Hall International, 1964. — 120 p.
  • Wolfe C.M., Holonyak N., Stillman G.E. Physical Properties of Semiconductors. — Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1989. — 368 p.
Статьи
  • Moll J.L., Tanenbaum M., Goldey J.M., Holonyak N. P-N-P-N Transistor Switches // Proceedings of the IRE. — 1956. — Vol. 44, № 9. — P. 1174-1182. — doi:10.1109/JRPROC.1956.275172.
  • Holonyak Jr. N., Bevacqua S.F. Coherent (visible) light emission from Ga(As1-xPx) junctions // Applied Physics Letters. — 1962. — Vol. 1, № 4. — P. 82-83. — doi:10.1063/1.1753706.
  • Dupuis R., Dapkus P., Holonyak Jr. N., Rezek E.A., Chin R. Room‐temperature laser operation of quantum‐well Ga(1−x)AlxAs‐GaAs laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition // Applied Physics Letters. — 1978. — Vol. 32, № 5. — P. 295-297. — doi:10.1063/1.90026.
  • Holonyak N., Kolbas R., Dupuis R., Dapkus P. Quantum-well heterostructure lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. — 1980. — Vol. 16, № 2. — P. 170-186. — doi:10.1109/JQE.1980.1070447.
  • Chin R., Holonyak N., Stillman G.E., Tang J.Y., Hess K. Impact ionisation in multilayered heterojunction structures // Electronics Letters. — 1980. — Vol. 16, № 12. — P. 467-469. — doi:10.1049/el:19800329.
  • Laidig W.D., Holonyak Jr. N., Camras M.D., Hess K., Coleman J.J., Dapkus P.D., Bardeen J. Disorder of an AlAs-GaAs superlattice by impurity diffusion // Applied Physics Letters. — 1981. — Vol. 38, № 10. — P. 776-778. — doi:10.1063/1.92159.
  • Deppe D.G., Holonyak Jr. N. Atom diffusion and impurity-induced layer disordering in quantum well III-V semiconductor heterostructures // Journal of Applied Physics. — 1988. — Vol. 64, № 12. — P. R93-R113. — doi:10.1063/1.341981.
  • Dallesasse J.M., Holonyak Jr. N., Sugg A.R., Richard T.A., El-Zein N. Hydrolyzation oxidation of AlxGa1-xAs-AlAs-GaAs quantum well heterostructures and superlattices // Applied Physics Letters. — 1990. — Vol. 57, № 26. — P. 2844-2846. — doi:10.1063/1.103759.

Примечания править

  1. 1 2 https://www.invent.org/inductees/nick-holonyak-jr
  2. 1 2 3 https://news.illinois.edu/view/6367/1920044460
  3. White M. L. Nick Holonyak Jr // Encyclopædia Britannica (англ.)
  4. Семья Холоньяк в переписи населения США 1940 года. Дата обращения: 19 сентября 2022. Архивировано 20 сентября 2022 года.
  5. Oral History interview with Nick Holonyak. Дата обращения: 19 сентября 2022. Архивировано 20 сентября 2022 года.
  6. http://www.highbeam.com/doc/1G1-96919218.html Архивная копия от 16 мая 2011 на Wayback Machine Nice Guys Can Finish As Geniuses at University of Illinois in Urbana-Champaign. (англ.)
  7. World Scientists' Warning To Humanity (англ.). stanford.edu (18 ноября 1992). Дата обращения: 25 июня 2019. Архивировано из оригинала 6 декабря 1998 года.
  8. News Bureau | ILLINOIS. Дата обращения: 19 сентября 2022. Архивировано 19 сентября 2022 года.
  9. http://www.esave.ru/history/ Архивная копия от 28 января 2010 на Wayback Machine История развития светодиодов
  10. http://www.businessweek.com/magazine/content/05_21/b3934030.htm Архивная копия от 27 июня 2012 на Wayback Machine Nick Holonyak: He Saw The Lights (англ.)

Литература править

Ссылки править