Открыть главное меню

Эсаки, Лео

Лео Эсаки (яп. 江崎 玲於奈 Эсаки Рэона, известен также как Рэона Эсаки или Леона Эсаки; род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 году. Половина премии, совместно с Айваром Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.

Лео Эсаки
江崎 玲於奈
Leo Esaki 1959.jpg
Дата рождения 12 марта 1925(1925-03-12)[1][2][3] (94 года)
Место рождения Осака, Япония
Страна
Научная сфера физика
Место работы Киотский университет, Технологический институт Сибаура[en], Цукубский университет[en] и Иокогамский фармацевтический колледж[en]
Альма-матер
Награды и премии Премия Японии Премия Японии (1998)
Нобелевская премия по физике — 1973 Нобелевская премия по физике (1973)
Орден Восходящего солнца 1 класса Орден Культуры
Commons-logo.svg Медиафайлы на Викискладе

Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 году, степень доктора философии в 1959 году. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 году во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 году переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM[en] в 1967 году.

Награды и признаниеПравить

ПримечанияПравить

СсылкиПравить