Иванов, Сергей Викторович (физик)
Серге́й Ви́кторович Ивано́в (род. 24 июня[1] 1960, Ленинград, СССР) — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге. Член-корреспондент РАН с 2022 года[2].
| Сергей Викторович Иванов | |
|---|---|
| Дата рождения | 24 июня 1960 (63 года) |
| Место рождения | Ленинград |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | физика наногетероструктур |
| Место работы |
ФТИ РАН, СПбАУ, СПбГЭТУ |
| Альма-матер | ЛЭТИ |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
| Учёное звание | профессор, член-корреспондент РАН (2022) |
| Награды и премии |
 |
Биография править
Родился в 1960 году.
Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.). В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ[3].
Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации[3].
Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран[3].
С октября 2018 года исполнял обязанности директора ФТИ. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора[4][5]; после урегулирования формальностей, 6 августа 2019 года официально вступил в должность.
В июне 2022 года избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук[2].
Научная деятельность править
Иванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы АIIIВV, АIIВVI, АIII-нитриды).
Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии[4]:
- разработка новых эпитаксиальных технологий наногетероструктур АIIIВV и широкозонных соединений АIIВVI, структур с квантовыми точками (КТ) СdSe и магнитными полупроводниками;
- создание прототипов приборных структур: сверхнизкопороговых лазерных диодов с раздельным ограничением в системе AlGaAs, лазеров с КТ InSb и фотоприёмников среднего ИК диапазона в системе AlGaSbAs/InAsSb, светодиодов и лазеров среднего УФ диапазона на основе AlGaN, высокоэффективных сине-зелёных лазеров с электронно-лучевой накачкой и лазерных конвертеров на базе наноструктур СdSe/ZnSe, НЕМТ-транзисторов с каналом InAs;
- реализация оригинальной концепции интеграции нанослоёв соединений АIIIВV и АIIВVI, позволяющей расширить возможности конструирования опто-, микро- и спинэлектронных приборов нового поколения.
Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 6 патентов. Суммарно его работы были процитированы свыше 12000 раз, индекс Хирша — 39 (данные РИНЦ на акгуст 2023 года)[6]. Выступал на российских и международных конференциях, сделал около 40 приглашённых докладов.
Исследовательская деятельность учёного отмечена присуждением ряда премий в его институте, благодарностью президента РАН[3].
Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алфёрова за цикл приоритетных исследований физико-химических аспектов процесса молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6, приведший к созданию эффективных квантоворазмерных наногетероструктур для элементной базы полупроводниковой оптоэлектроники и квантовой фотоники широкого спектрального диапазона[7].
Преподавание, оргработа править
Как учёный-наставник Иванов подготовил 6 кандидатов физико-математических наук[4].
По совместительству, с 2004 года преподаёт в двух вузах Санкт-Петербурга: читает курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор[3].
Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ. Главный редактор журнала «Физика и техника полупроводников» (с 2023 года)[8], член редколлегии журнала «Micro and Nanostructures» (до весны 2022 года журнал назывался «Superlattices and Microstructures»)[4].
Примечания править
- ↑ В некоторых источниках день рождения учёного ошибочно указан как 24 февраля.
- ↑ 1 2 Н. Ланской. Избранные члены Российской академии наук. Портал «Научная Россия» (2 июня 2022). Дата обращения: 2 июня 2022. Архивировано 2 июня 2022 года.
- ↑ 1 2 3 4 5 Информация о С. В. Иванове Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine на сайте СПбАУ
- ↑ 1 2 3 4 Информация Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine о выборах директора ФТИ: сведения о претендентах
- ↑ Информация Архивная копия от 10 мая 2019 на Wayback Machine об избрании С. В. Иванова на пост директора ФТИ (на сайте института).
- ↑ Список публикаций С. В. Иванова и данные об их цитируемости на сайте Elibrary
- ↑ Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115.
- ↑ См. сведения о составе редколлегии Архивная копия от 30 августа 2023 на Wayback Machine на сайте журнала «Физика и техника полупроводников».
Ссылки править
- Сайт лаборатории в ФТИ, возглавляемой С. В. Ивановым
- Интервью С. В. Иванова РИА Новости о деятельности ФТИ РАН (10 янв 2019)
- Его статьи на Math-Net.Ru