Википедия

Мокеров, Владимир Григорьевич

Влади́мир Григо́рьевич Моке́ров (2 мая 1940 года — 23 сентября 2008 года) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1982), профессор (1989), член-корреспондент АН СССР (1990)[1], член-корреспондент РАН (1991).

Владимир Григорьевич Мокеров
Дата рождения 2 мая 1940(1940-05-02)
Место рождения село Даровское Даровского р-на Кировской области СССР
Дата смерти 23 сентября 2008(2008-09-23) (68 лет)
Место смерти Москва, Флаг России
Страна Флаг СССР → Флаг России
Научная сфера физика полупроводников, технология микро- и наноэлектроники, физика низкоразмерных систем
Место работы Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук
Альма-матер Ленинградский государственный университет
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание член-корреспондент АН СССР, профессор
Награды и премии
Орден Дружбы народов Орден Почёта Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники

Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, носящего теперь его имя[2]. Создатель научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники[3].

Биография править

Владимир Григорьевич Мокеров родился 2 мая 1940 года в семье сельского учителя. Отец — Григорий Иванович Мокеров, мать — Мария Сергеевна Мокерова. В 1945 году семья поселяется в Ленинграде. В 1957 году окончил ленинградскую среднюю школу № 35. В 1958 году поступил на Физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1963 году Владимир Григорьевич окончил ЛГУ и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники МЭП СССР в г. Зеленограде. В 1967 году обнаруживает аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия[4]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл». С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1982 году защитил докторскую диссертацию по теме «Исследование окислов ванадия»[5]. В 1984 году в отделе Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs[6][7].

В середине 1980-х годов являлся главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешёл на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. В 1989 году Мокерову В. Г. присвоено учёное звание профессора по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs[8][9]

16 апреля 2002 года — вышло постановление Президиума РАН о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, директором которого был назначен Мокеров В. Г.. 26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники. Мокеров В. Г. был назначен заведующим кафедрой.

Являлся членом редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Радиотехника и электроника» и «Микросистемная техника». Являлся действительным членом — академиком Академии электротехнических наук РФ и членом Международного института инженеров-электриков и электронщиков (IEEE, Нью-Йорк, США). Скончался в Москве 23 сентября 2008 года. Похоронен на Ваганьковском кладбище Москвы[10].

26 июля 2010 года был образован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН профессора В. Г. Мокерова[11], премирующий талантливых студентов и молодых ученых, работающих в области гетероструктурной СВЧ электроники именными стипендиями и грантами.

С мая 2010 года на базе НИЯУ МИФИ ежегодно проводятся Международные Научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники под названием «Мокеровские чтения»[12].

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 Федеральному государственному автономному научному учреждению Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук присвоено имя члена-корреспондента Российской академии наук Мокерова Владимира Григорьевича[13].

Научные достижения править

  • В 2006 году впервые в России разработана и изготовлена монолитная интегральная схема трехкаскадного малошумящего усилителя на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs[14].
  • В 2006—2008 году под руководством Мокерова в ИСВЧПЭ РАН начато освоение отечественной технологии изготовления транзисторов на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN, увенчавшееся созданием транзисторов с 170 нм затвором, граничной частотой усиления по току 48 ГГц, по мощности — 100 ГГц и выходной мощностью более 4 Вт/мм[15].
  • В 2008 году впервые в России разработаны и изготовлены высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN с пробивным напряжением свыше 100 В., максимальной удельной мощностью не менее 4,5 Вт на один миллиметр длины затвора и предельной частотой усиления по мощности 110 ГГц, а также грибообразный затвор длиной 100 нм.
  • Автор 350 научных работ и 12 изобретений[16].

Награды править

Примечания править

  1. ↑ Мокеров Владимир Григорьевич. Информационная система "Архивы РАН". Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 2 июля 2022 года.
  2. ↑ Профиль Владимира Григорьевича Мокерова на официальном сайте ИСВЧПЭ РАН. Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 5 сентября 2018 года.
  3. ↑ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения. Радиотехника и электроника, 2010, том 55, № 8, с. 1020—1024. Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 12 марта 2017 года.
  4. ↑ В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1968, т. 10, стр.1556-1557
  5. ↑ Мокеров, Владимир Григорьевич, Исследования окислов ванадия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. ф.-м. н. — М., 1982. — 53 с., Российская Национальная Библиотека [1]
  6. ↑ А. Н. Вороновский, И. У. Ицкевич, Л. М. Каширская, В. Д. Кулаковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Долгоживущая фотопроводимость в селективно легированных структурах n-AlxGa1-xAs/GaAs в условиях гидростатического сжатия, Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, вып. 10, стр. 405—408.
  7. ↑ Б. В. Журкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, С. Р. Октябрьский, С. С. Шмелев, Нунупавров, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1985, № 243, стр. 12.
  8. ↑ P. M. Имамов, А. А. Ломов, В. П. Сироченко, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, Ю. В. Федоров, Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, ФТП, 1994, т. 28, вып. 8, стр. 1346—1353.
  9. ↑ М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Температурные исследования фотолюминесценции структур InхGa1-хAs/GaAs с квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр.1211-1218.
  10. ↑ Могила В. Г. Мокерова. Дата обращения: 25 июля 2019. Архивировано 26 июля 2019 года.
  11. ↑ Фонд Поддержки Образования И Науки Имени Члена Корреспондента Ран Мокерова В.Г. Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 30 июня 2018 года.
  12. ↑ Международная научно-практическая конференция «Мокеровские чтения» состоялась в НИЯУ МИФИ [2] Архивная копия от 11 декабря 2018 на Wayback Machine
  13. ↑ Создано Федеральное государственное автономное учреждение — ИСВЧПЭ РАН. Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 2 сентября 2018 года.
  14. ↑ В. Г. Мокеров, В. Я. Гюнтер, С. Н. Аржанов, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Л. И. Бабак, А. А. Баров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 17-я Международная Крымская конференция «СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии» материалы конференции 10-14 сентября 2007 г.
  15. ↑ В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, Частотные характеристики AlGaN/GaN- НЕМТ- транзисторов с различной длиной и шириной затворов, Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы», 18-20 июня 2008 года, г. Санкт-Петербург, стр. 148—149.
  16. ↑ Список научных публикаций http://www.mokerov.ru/works/ Архивная копия от 18 августа 2018 на Wayback Machine

Ссылки править

Интервью править

  • «Наногетероструктурная электроника» // Газета «Промышленный еженедельник», № 16(17), стр.6, 2003 [3]
  • «В России возможна своя твердотельная СВЧ-электроника» // Журнал «Электроника НТБ», № 8, 2003. [4], [5]
  • «Вырастет отрасль?» // Газета «Поиск», № 16 (986), стр. 12, 2008.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Мокеров,_Владимир_Григорьевич&oldid=136227840