Обсуждение:Электронная литография

Нужны правки

Надо бы поправить последний абзац. Совершенно непонятно, что подразумевается под "стратегией отклонения луча" и что такое "сформированная форма луча"?? К сожалению, я совершенно не в теме, так что сама ничем помочь не могу. - Юлия Рудый 11:53, 27 апреля 2010 (UTC)

Нужны правки последнего абзаца

Это плохой перевод с англ. ничего не понимающей в технике девочки.

Д.Ильин 22:16, 14 августа 2012 (UTC)

Лазеры?

Альтернативой являются системы, использующие для создания маски лазеры.[2]. Проекционная фотолитография использует полученные маски для засветки фоторезистов на кремниевых пластинах в производстве сверхбольших микросхем.

Ох, вовсе не альтернатива! Экситонные лазеры на парах меди имеют длину волны 9,4 нм, что на порядок хуже разрешения электронного пучка.

Д.Ильин 23:49, 15 августа 2012 (UTC)

Зачем писать заведомую чушь?

Лазеры, для создания масок фотолитографии, использовались лишь приблизительно до 1975 г., пока не требовалось разрешение ниже 1 мкм. Автор правок совершенно не понимает технологию создания масок, что это его перл: "проекционная фотолитогафия" где он такое прочитал? Видно, в работах конца прошлого века, но выдает за современную. Сейчас все СБИС производятся контактным методом засвечивания фоторезиста через вплотную наложенную маску, причем в воде, прозрачной для жёсткого ультрафиолетового излучения.

Д.Ильин 14:54, 22 августа 2012 (UTC)

Думаю, мы оба хороши (не очень хорошо разбираемся в современных технологиях, я, например, не знал как изготавливают маски). Я привожу точные ссылки на книги, в которых читаю про технологию создания масок, указываю цитаты из них. Для всех книг указан год издания. Если необходимо, могу набрать более обширные цитаты.

Кстати, надо быть несколько аккуратнее с утверждениями про "все СБИС". Сейчас производятся и микросхемы на 0,5 мкм и на 32 нм; технологии их производства могут сильно различаться. Не могли бы вы указать, какие компании сейчас применяют контактный метод и для каких техпроцессов? `a5b 19:37, 22 августа 2012 (UTC)

• Чуть подробнее про контактный метод фотолитографии. Вот, например, еще в 1997 году в SPIE приводится примерно такая информация (текст из англ. вики Contact lithography):

The first integrated circuits had features of 200 micrometres which were printed using contact lithography. This technique was popular in the 1960s until it was substituted by proximity printing, where a gap is introduced between the photomask and the substrate. Proximity printing had poorer resolution than contact printing (due to the gap allowing more diffraction to occur) but generated far less defects. The resolution was sufficient for down to 2 micrometre production. In 1978, the step-and-repeat projection system appeared.

— 1997 SPIE interview with Burn Lin

Т.е. контактная литография кончилась к началу 1970х, proximity printing (маска над пластиной, без контакта и без линз между ними) - на 2 мкм; с 1980-ых - step-and-repeat projection system (это степперы, Figure 3. по ссылке spie; 1:40 и далее в ролике ASML; 4:40 и далее в ролике TSMC 2011). `a5b 19:37, 22 августа 2012 (UTC)

• Еще из англ. вики Photolithography (уж простите за неавторитетный источник):

Contact printing is liable to damage both the mask and the wafer, and this was the primary reason it was abandoned for high volume production. Both contact and proximity lithography require the light intensity to be uniform across an entire wafer, and the mask to align precisely to features already on the wafer. As modern processes use increasingly large wafers, these conditions become increasingly difficult. Research and prototyping processes often use contact or proximity lithography, because it uses inexpensive hardware and can achieve high optical resolution.

• Термин проекционная фотолитография (англ. projection lithography) существует в русском языке, например, он использован здесь: [1] "Проекционная литография экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения рассматривается мировым сообществом как базовая технология для массового производства интегральных схем с минимальным размером топологии 10-30 нм." `a5b 19:37, 22 августа 2012 (UTC)

• Вода находится не между маской и пластиной, а между пластиной и линзой: http://researcher.watson.ibm.com/researcher/view_project_subpage.php?id=3607 (обозначено medium of index n). И в этой же статье сказано: "Virtually all advanced microelectronics devices are fabricated using projection lithography".
• Воду используют не все производители, например, Интел работал без воды до техпроцесса 45 нм включительно ([2] "Intel prepares its 32nm migration, the first time Intel will use immersion technology.") `a5b 19:37, 22 августа 2012 (UTC)

• Так я именно про чушь в книгах, а отнюдь не Вашу. Дело в том что я своими глазами видел процессы создания нанометровых масок и последующей контактной фотолитографии. Ну принципиально невозможно достичь разрешения 1 нм используя свет с длиной волны 12,8 нм. Д.Ильин 05:21, 23 августа 2012 (UTC)

Вы видели экспериментальный процесс (с производительностью фотолитографии в единицы 50-100 мм пластин в час и не более чем 10-20 кратным использованием масок) или high volume manufacturing современных СБИС (на 300 мм пластинах с техпроцессами 32-45-65-90 нм, с производительностью более 100 пластин в час и использованием масок для 0,5-5 тысяч пластин)? Я считаю, что в статье в первую очередь нужно описывать широко применяемые технологии (последние 10-20 лет). Мне кажется, что разрешение в единицы нм относится к en:Nanolithography. `a5b 13:29, 23 августа 2012 (UTC)

Коллега, a5b, здесь я с Вами полностью согласен. Давайте, совместными усилиями доведем уровень этой статьи до приемлемой. В соответсвующей статье английской ВП - путано.

И еще добавлю, всё-таки статья про электронную нанолитографию, создание масок для фотошаблонов микросхем одно из ее популярных приложений. Может быть, следует завести отдельную статью, например, с названием, "Фотошаблоны для изготовления микросхем" - не знаю.

С уважением, Д.Ильин 11:04, 24 августа 2012 (UTC)

Разрешение е-литографии

Господин Ильин, разберемся с разрешением которое достигается с помощью е-литографии. Для этого обратимся к справочнику по литографии: SPIE Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication, Volume 1: Microlithography, к разделу 2.2 Elements of electron optics, параграф 2.2.6 Resolution. , рисунок 2.9. Из этого рисунка следует разрешение не лучше 6 нм. Это разрешение ограничено системой фокусировки електронного пучка. Но, есть ещ е такая характеристика как механическая стабильность положения образца на котором пишется рисунок, она приблизительно такой же величины. Таким образом, Указывать в статье разрешение около 1 нм не есть правильно. Реально эта величина равна около 10 нм. Напомню, что Intel имеет в настоящее время технологию, которая гарантирует 25 нм разрешение . Если бы вы ему обеспечили 1 нм, то они бы вас озолотили.--High.Alexander 19:33, 19 декабря 2015 (UTC)

ВЫ пишите: Остросфокусированный электронный пучок, отклоняемый магнитной системой, прорисовывает нужные конфигурации на поверхности чувствительного к электронному облучению резиста, нанесенного на подложку.

"Острофокусированный пучок" - это что? В научном тексте лучше указывать насколько он остер, т.е.: Сфокусированный пучок ( около 10 нм) ... " и т.д. Далее: Магнитная система не только отклоняет, но и фокусирует - иными словами, вы даете искаженную неполную информацию читателю. Вместо "конфигурации" лучше использовать "прорисовыввает необходимую топологию поверхности образца. Электронное облучение, не лучшая фраза ( хотя допустимое), лучше - облучение электронным пучком. поверхности образца ( читателю не понятно откуда взялась и для чего какая то подложка?)

ВЫ пишите: Управление электронным пучком производится изменением токов в отклоняющих магнитных системах, управляемых компьютером.

Управление осуществляется магитными линзами. Это делается как током, так и напряжением, да и вообще, для преамбулы это чрезмерное уточнение--High.Alexander 19:33, 19 декабря 2015 (UTC)

1. 6 нм — это у обычного оборудования, очень дорогое оборудование в единичных экземплярах — лучше 1 нм.
2. Разрешение снижается в основном не от остроты пучка, а от рассеяния вторичных выбитых электронов в резисте.
3. Электронная фотолитография не применяется для создания микросхем массово, так как очень медленный процесс, только для создания масок. 25 нм у Intel — это разрешение оптической фотолитографии, к ЭФ отношение у ОФ только через маски.
4. Фокусировка — магнитными линзами, отклонение — отклоняющими катушками, это разные вещи. Электростатическая оптика не применяется, так как с ней недостижимо высокое разрешение.
5. Насчет стиля — «прорисовыввает», «топологию», «поверхности образца» — это дело вкуса, но, топология — это, конечно, чушь, лучше — рисунок.

Совет: прочитайте англ. версию статьи — там все это написано. Д.Ильин 20:24, 19 декабря 2015 (UTC).

Ответ:

• Если вы пишите об исключительных установках,, имеющие разрешение 1 нм, то должны это подчеркнуть в тексте и дать на эту эксклюзивность ссылку, иначе этоэта информация выглядит как выдумка выглядит как выдумка
• Есть много причин почему разрешение хуже чем длина волны электрона, но на причины ухудшающих разрешение ни в едином месте статьи ничего на сказано
• Отклоняющие катушки и магнитные линзы - суть одно и тоже - это соленоиды. Про электростатику я ничего не говорил
• Стиль - конечно же "дело не вкуса", но главное, что бы читаль понимал однозначно текст
• Я прочитал аглицку статью и должен отметь , что она написано значительно лучше и по содержанию и по стилю. Если русская версия была сделана хорошим переводом, то ее содержание было бы значительно лучше. Я не говорю об жидком содержании первой--High.Alexander 21:03, 19 декабря 2015 (UTC)

Коллега, если Вы улучшите статью переводом из англ., сообщество будет Вам благодарно.

В англ. прямо написано — ухудшение разрешения от рассеяния электронов в резисте, кстати, там же указано «серийное» разрешение промышленных установок 6 нм.

...Про электростатику я ничего не говорил... а это как понимать: ...Это делается как током, так и напряжением...? Д.Ильин 21:33, 19 декабря 2015 (UTC).

Электростатика управляется электрическим потенциалом.

Магнитная линза есть соленоид. Если вы поменяете напряжение на концах соленоида, то изменится ток через сопротивление соленоида.

Вторичное рассеяние электронов действительно ухудшает разрешение. 6 нм все таки больше, чем указанное 1 нм.

Буду работать, если время позволит. Вам предлагаю критиковать--High.Alexander 00:42, 20 декабря 2015 (UTC)