Открыть главное меню

Антон Юрьевич Егоров (род. 8 мая 1964 года) — российский физик, специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твердых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН (2011).

Антон Юрьевич Егоров
Дата рождения 8 мая 1964(1964-05-08) (55 лет)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР Россия
Научная сфера физика полупроводников
Место работы Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
Альма-матер ЛЭТИ
Учёная степень доктор физико-математических наук (2011)
Учёное звание член-корреспондент РАН (2011)

Содержание

БиографияПравить

Родился 8 мая 1964 года в Ленинграде.

В 1981 году — окончил физико-математический лицей № 239.

В 1986 году — окончил Ленинградский электротехнический институт.

В 2011 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N — новый материал оптоэлектроники»[2]

Работает в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.

Заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета — научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.

В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Научная деятельностьПравить

Работы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.

Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющая воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.

ПримечанияПравить

СсылкиПравить