Келдыш, Леонид Вениаминович

Леони́д Вениами́нович Ке́лдыш (7 апреля 1931, Москва, РСФСР — 11 ноября 2016, Москва,Российская Федерация[2]) — советский и российский физик-теоретик, академик РАН (1976), доктор физико-математических наук (1965), профессор. Работы Л. В. Келдыша сыграли важную роль в развитии физики твёрдого тела[3].

Леонид Вениаминович Келдыш
Л. В. Келдыш.jpg
Дата рождения 7 апреля 1931(1931-04-07)
Место рождения
Дата смерти 11 ноября 2016(2016-11-11) (85 лет)
Место смерти
Страна
Научная сфера физика
Место работы ФИАН
Альма-матер физический факультет МГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1965)
Учёное звание профессор (1962),
академик АН СССР (1976),
академик РАН (1991)
Научный руководитель В. Л. Гинзбург
Известные ученики М. В. Садовский
Награды и премии

БиографияПравить

Воспитывался в семье матери и отчима — известных математиков. Окончив школу с золотой медалью, поступил на физический факультет МГУ, после окончания которого в 1954 году стал аспирантом теоретического отдела имени И. Е. Тамма Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН) (его научным руководителем был В. Л. Гинзбург). С 1957 года и до конца жизни работал в теоретическом отделе ФИАН, а в 1989—1994 годах занимал пост директора института. В 1965 году защитил диссертацию; по результатам защиты вместо кандидатской степени ему была сразу присвоена докторская.

В 1962 году стал профессором МФТИ, в 1965-м — профессором МГУ, с 1978 по 2001 год занимал должность заведующего кафедрой квантовой радиофизики физического факультета МГУ, в 2004—2011 годах по также сотрудничал с факультетом физики и астрономии Техасского университета A&M.

В 1968 году был избран членом-корреспондентом АН СССР, в 1976 году — академиком, в 1991—1996 годах занимал пост академика-секретаря Отделения общей физики и астрономии РАН, затем — советником Президиума РАН и председателем Национального комитета российских физиков. В течение многих лет был членом редакционных коллегий журналов «Физика и техника полупроводников», «Доклады РАН», «Solid State Communications», с 29 декабря 2009 года до конца жизни работал главным редактором журнала «Успехи физических наук».

Похоронен в Москве на Донском кладбище [4].

Научные достиженияПравить

Л. В. Келдышу принадлежат работы в области квантовой теории систем многих частиц, физики твердого тела, физики полупроводников, квантовой радиофизики.

Во второй половине 1950-х годов построил систематическую теорию туннельных явлений в полупроводниках, в 1957 году впервые провел корректный расчёт вероятности туннельного перехода с учётом зонной структуры материала и предсказал так называемый непрямой туннельный эффект, протекающий с участием фононов, а в 1958 году предсказал эффект сдвига полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля (эффект Франца — Келдыша). Эти результаты оказались чрезвычайно важными для развития спектроскопии полупроводников. В 1962 году предложил использовать пространственно-периодические поля (сверхрешетки) для управления электронным спектром и электронными свойствами кристаллов; позже сверхрешётки стали основой многих оптоэлектронных устройств.

В 1964 году показал, что многоквантовый фотоэффект и высокочастотный туннельный эффект являются различными предельными случаями одного и того же процесса: так называемый параметр Келдыша определяет границу между многофотонным и туннельным режимами. Построил общую теорию этих явлений, заложив основу нового направления — физики взаимодействия интенсивного лазерного излучения с веществом.

В 1964 году для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем разработал специальную диаграммную технику. Этот подход, являющаяся обобщением фейнмановских диаграмм на неравновесные процессы и известный также как формализм Швингера — Келдыша, широко используется в различных разделах физики, в частности при описании взаимодействия конденсированных систем с лазерным излучением.

В том же 1964 году совместно с Ю. В. Копаевым предложил известную модель фазового перехода металл-полупроводник, известную как «экситонный диэлектрик». В 1968 году вместе с другим своим учеником А. Н. Козловым предсказал бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонов, а также показал, что неравновесные экситоны в сильно возбуждённом полупроводнике должны формировать электронно-дырочные капли. В ряде работ Л. В. Келдыш исследовал явления, связанные с глубоко лежащими уровнями в полупроводниках, ударной ионизацией, «фононным ветром» и т.д.

СемьяПравить

Награды и членстваПравить

Основные публикацииПравить

ПримечанияПравить

ЛитератураПравить

СсылкиПравить