Открыть главное меню

Мокеров, Владимир Григорьевич

Влади́мир Григо́рьевич Моке́ров (2 мая 1940 года — 23 сентября 2008 года) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1982), профессор (1989), член-корреспондент АН СССР (1990)[1], член-корреспондент РАН (1991).

Владимир Григорьевич Мокеров
VGMokerov.png
Дата рождения 2 мая 1940(1940-05-02)
Место рождения село Даровское Даровского р-на Кировской области СССР
Дата смерти 23 сентября 2008(2008-09-23) (68 лет)
Место смерти Москва, Флаг России
Страна Флаг СССРФлаг России
Научная сфера физика полупроводников, технология микро- и наноэлектроники, физика низкоразмерных систем
Место работы Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук
Альма-матер Ленинградский государственный университет
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание член-корреспондент АН СССР, профессор
Награды и премии
Орден Дружбы народов Орден Почёта Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники

Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, носящего теперь его имя[2]. Создатель научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники[3].

БиографияПравить

Владимир Григорьевич Мокеров родился 2 мая 1940 года в семье сельского учителя. Отец — Григорий Иванович Мокеров, мать — Мария Сергеевна Мокерова. В 1945 году семья поселяется в Ленинграде. В 1957 году окончил ленинградскую среднюю школу № 35. В 1958 году поступил на Физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1963 году Владимир Григорьевич окончил ЛГУ и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники МЭП СССР в г. Зеленограде. В 1967 году обнаруживает аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия[4]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл». С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1982 году защитил докторскую диссертацию по теме «Исследование окислов ванадия»[5]. В 1984 году в отделе Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs[6][7].

В середине 1980-х годов являлся главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. В 1989 году Мокерову В. Г. присвоено учёное звание профессора по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs[8][9]

16 апреля 2002 года — вышло постановление Президиума РАН о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, директором которого был назначен Мокеров В. Г.. 26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники. Мокеров В. Г. был назначен заведующим кафедрой.

Являлся членом редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Радиотехника и электроника» и «Микросистемная техника». Являлся действительным членом — академиком Академии электротехнических наук РФ и членом Международного института инженеров-электриков и электронщиков (IEEE, Нью-Йорк, США). Скончался в Москве 23 сентября 2008 года. Похоронен на Ваганьковском кладбище Москвы[10].

26 июля 2010 года был образован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН профессора В. Г. Мокерова[11], премирующий талантливых студентов и молодых ученых, работающих в области гетероструктурной СВЧ электроники именными стипендиями и грантами.

С мая 2010 года на базе НИЯУ МИФИ ежегодно проводятся Международные Научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники под названием «Мокеровские чтения»[12].

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 Федеральному государственному автономному научному учреждению Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук присвоено имя члена-корреспондента Российской академии наук Мокерова Владимира Григорьевича[13].

Научные достиженияПравить

  • В 2006 году впервые в России разработана и изготовлена монолитная интегральная схема трехкаскадного малошумящего усилителя на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs[14].
  • В 2006—2008 году под руководством Мокерова в ИСВЧПЭ РАН начато освоение отечественной технологии изготовления транзисторов на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN, увенчавшееся созданием транзисторов с 170 нм затвором, граничной частотой усиления по току 48 ГГц, по мощности — 100 ГГц и выходной мощностью более 4 Вт/мм[15].
  • В 2008 году впервые в России разработаны и изготовлены высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN с пробивным напряжением свыше 100 В., максимальной удельной мощностью не менее 4,5 Вт на один миллиметр длины затвора и предельной частотой усиления по мощности 110 ГГц, а также грибообразный затвор длиной 100 нм.
  • Автор 350 научных работ и 12 изобретений[16].

НаградыПравить

СсылкиПравить

ИнтервьюПравить

  • «Наногетероструктурная электроника» // Газета «Промышленный еженедельник», № 16(17), стр.6, 2003 [3]
  • «В России возможна своя твердотельная СВЧ-электроника» // Журнал «Электроника НТБ», № 8, 2003. [4], [5]
  • «Вырастет отрасль?» // Газета «Поиск», № 16 (986), стр. 12, 2008.

ПримечанияПравить

  1. Мокеров Владимир Григорьевич. (неопр.). Информационная система "Архивы РАН". Дата обращения 12 сентября 2018.
  2. Профиль Владимира Григорьевича Мокерова на официальном сайте ИСВЧПЭ РАН (неопр.). Дата обращения 12 сентября 2018.
  3. ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения (неопр.). Радиотехника и электроника, 2010, том 55, № 8, с. 1020—1024. Дата обращения 12 сентября 2018.
  4. В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1968, т. 10, стр.1556-1557
  5. Мокеров, Владимир Григорьевич, Исследования окислов ванадия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. ф.-м. н. — М., 1982. — 53 с., Российская Национальная Библиотека [1]
  6. А. Н. Вороновский, И. У. Ицкевич, Л. М. Каширская, В. Д. Кулаковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Долгоживущая фотопроводимость в селективно легированных структурах n-AlxGa1-xAs/GaAs в условиях гидростатического сжатия, Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, вып. 10, стр. 405—408.
  7. Б. В. Журкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, С. Р. Октябрьский, С. С. Шмелев, Нунупавров, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1985, № 243, стр. 12.
  8. P. M. Имамов, А. А. Ломов, В. П. Сироченко, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, Ю. В. Федоров, Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, ФТП, 1994, т. 28, вып. 8, стр. 1346—1353.
  9. М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Температурные исследования фотолюминесценции структур InхGa1-хAs/GaAs с квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр.1211-1218.
  10. Могила В.Г. Мокерова
  11. Фонд Поддержки Образования И Науки Имени Члена Корреспондента Ран Мокерова В.Г
  12. Международная научно-практическая конференция «Мокеровские чтения» состоялась в НИЯУ МИФИ [2]
  13. Создано Федеральное государственное автономное учреждение — ИСВЧПЭ РАН
  14. В. Г. Мокеров, В. Я. Гюнтер, С. Н. Аржанов, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Л. И. Бабак, А. А. Баров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 17-я Международная Крымская конференция «СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии» материалы конференции 10-14 сентября 2007 г.
  15. В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, Частотные характеристики AlGaN/GaN- НЕМТ- транзисторов с различной длиной и шириной затворов, Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы», 18-20 июня 2008 года, г. Санкт-Петербург, стр. 148—149.
  16. Список научных публикаций http://www.mokerov.ru/works/